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Title: 聯吡嗪釕錯合物之性質研究
Authors: 張一知
陳彥宏
chen yan hung
Keywords: 聯吡嗪
Issue Date: 2010
Abstract: 錯合物 [Ru(bpz)n(bpy)3-n2+], n = 0, 1, 2, 3 已被合成,配位基 bpz 具有強拉電子能力,錯合物之氧化電位會隨著 bpz 數目的增加而越低。此系列錯合物中又以 Ru(bpz)2(bpy)2+ 具有最長的生命期及最大的 quantum yield。 在光敏性染料電池的實驗中,合成了含拉電子基(bpz、pz 或 10-pz)配位的錯合物。此類錯合物的氧化電位分別為約 0.924、1.13 及 1.14 V,均高於 I-/I3- (0.34 V v.s. SCE) 和 2Br-/Br2 (0.85 V v.s. SCE) 電位。但是光電轉換效率都不好,最大者為Ru(dcbpy)2(10-pz)(NCS)+ 在 I-/I3- 下,僅1.11% 。 在生物系統中之實驗中,利用 Ru(bpz)2(bpy)2+ 的特性,合成出 Ru(bpz)2(LL)2+ (LL:dppz、deebpy 與 bpz),此類錯合物都具有很強的光激發氧化力,各別依序為 1.34 V、1.39 V 與 1.5 V。均能夠氧化 tyrosine、GMP 及 AMP。在螢光淬息速率中,driving force 大小會影響淬息速率的快慢。當 Ru(bpz)32+ 與 tyrosine、GMP 及 AMP 反應,driving force 分別為 0.81 V、0.56 V 與 0.18 V,螢光淬息速率依序為6.4 x 108、2.65 x 109 及2.23 x 107。由瞬間吸收光譜亦可觀察到中間產物至 Ru(bpz)(bpz-)(LL)+ 與 quencher 的 cation radical 之吸收峰。
URI: http://etds.lib.ntnu.edu.tw/cgi-bin/gs32/gsweb.cgi?o=dstdcdr&s=%22http://etds.lib.ntnu.edu.tw/cgi-bin/gs32/gsweb.cgi?o=dstdcdr&s=id=%22GN0697420504%22.&%22.id.&
http://rportal.lib.ntnu.edu.tw:80/handle/20.500.12235/100793
Other Identifiers: GN0697420504
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