科技與工程學院
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沿革
科技與工程學院（原名為科技學院）於87學年度成立，其目標除致力於科技與工程教育師資培育外，亦積極培育與科技產業有關之工程及管理專業人才。學院成立之初在原有之工業教育學系、工業科技教育學系、圖文傳播學系等三系下，自91學年度增設「機電科技研究所」，該所於93學年度起設立學士班並更名為「機電科技學系」。本學院於93學年度亦增設「應用電子科技研究所」，並於96學年度合併工教系電機電子組成立「應用電子科技學系」。此外，「工業科技教育學系」於98學年度更名為「科技應用與人力資源發展學系」朝向培育科技產業之人力資源專才。之後，本院為配合本校轉型之規劃，增加學生於科技與工程產業職場的競爭，本院之「機電科技學系」與「應用電子科技學系」逐漸朝工程技術發展，兩系並於103學年度起分別更名為「機電工程學系」及「電機工程學系」。同年，本學院名稱亦由原「科技學院」更名為「科技與工程學院」。至此，本院發展之重點涵蓋教育（技職教育/科技教育/工程教育）、科技及工程等三大領域，並定位為以技術為本位之應用型學院。
107學年度，為配合本校轉型規劃，「光電科技研究所」由原隸屬於理學院改為隸屬本（科技與工程）學院，另增設2學程，分別為「車輛與能源工程學士學位學程」及「光電工程學士學位學程」。
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Item A 0.6 V low-power 3.5 GHz CMOS low noise amplifier for WiMAX applications(Wiley-Blackwell, 2012-01-01) Jeng-Han Tsai; Yi-Jhang Lin; Hao-Chun YuIn this letter, a low-voltage and low-power 3.5-GHz low noise amplifier (LNA) is designed and fabricated using TSMC 0.18-lm MS/RF complementary metal-oxide-semiconductor field effect transistor (CMOS) technology. The complementary current-reused topology is utilized to achieve low dc power consumption while maintaining reasonable gain performance. Consuming 1.38 mW dc power from 0.6 V supply, the LNA achieves a small signal gain of 16.09 dB and a noise figure of 4.702 dB at 3.5 GHz. Compared with previously reported LNA, the MMIC has excellent FOM performance. VC 2011 Wiley Periodicals, Inc. Microwave Opt Technol Lett 54:145–147, 2012; View this article online at wileyonlinelibrary.comItem A 0.8V SOP-Based Cascade Multibit Delta-Sigma Modulator for Wideband Applications(2008-12-03) Chien-Hung Kuo; Kuan-Yi Lee; Shuo-Chau ChenIn this paper, a 0.8 V switched-opamp (SOP)-based 2-2 cascade delta-sigma modulator for wideband applications is presented. The first stage uses low-distortion topology to release the requirement of SOP due to only the quantization noise in integrator path. The second stage employs a CIFB structure without the use of summer in front of the quantizer to decrease the power consumption. Double sampling technique combined with the SOP with two output stages is used to promote the clock efficiency. The proposed fourth-order DeltaSigma modulator with CIFFCIFB structure has been implemented in a 0.13 mum CMOS 1P8M technology. The core area excluding PADs is 1.66times1.62 mm2. The peak signal-to-noise plus distortion ratio (SNDR) and dynamic range (DR) of the presented modulator within a 1.1 MHz of bandwidth are 77.9 dB and 85 dB, respectively, under a 20 MHz of clock rate. The power dissipation of the presented DeltaSigma modulator is 15.7 mW at a 0.8 V of supply voltage.Item A 0.8V SOP-Based Wideband Fourth-Order Cascade Delta-Sigma Modulator(2007-08-01) Chien-Hung Kuo; Shuo-Chau ChengItem 0.9V以下低電壓應用於寬頻之低通三角積分調變器之研製(行政院國家科學委員會, 2007-07-31) 郭建宏隨著可攜式電子產品市場的快速成長，以及人們對於產品輕薄短小和 電池的長時效性要求，低電壓、低功率積體電路技術發展有愈來愈急迫的 需要。然而，電源電壓的下降，雖可有效地節省數位電路的消耗功率，但 卻反而增加類比電路設計的困難。因此，類比電路若要操作在低電壓，又 要維持和高電壓相同的性能，對設計者來說是一項很大的挑戰。 三角積分調變器這項技術非常適合用來實現高解析度、高準確度的類 比數位轉換器，這在通信上有很相當多的應用。在本計劃的研究中，是要 設計一個可操作在寬頻、0.9伏特以下的開關運算放大器，進而合成一個低 電壓的二階積分器，及一個新的低電壓多位元寬頻的低通三角積分調變 器，藉以提升類比數位轉換器在低電壓應用層面，以達到SoC的目標。研究 步驟包含以下四個步驟： (1) 第一部份提出符合需求的高階多位元類比數位轉換器架構，並在回授 路徑不匹配的考量下，利用MATLAB做電路係數的最佳化，求出較佳 的電路架構。 (2) 第二部份在元件的非理想特性下，以CMOS技術設計出符合寬頻應用範 圍的開關式運算放大器。 (3) 第三部份，以電路特殊技巧設計出僅用一個開關運算放大器合成一個 低電壓二階多位元之積分器，以減少晶片所需面積及消耗功率。再利 用此二階積分器，結合多位元量化器電路，合成一個低電壓高階多位 元之低通寬頻三角積分調變器，以期能有效提高類比數位轉換時的解 析度，符合低電壓、高性能應用上的需求。Item 0.9V低電壓多位元高解析度低通三角積分調變器之研製(行政院國家科學委員會, 2006-07-31) 郭建宏隨著可攜式電子產品市場的快速成長，以及人們對於產品輕薄短小和 電池的長時效性要求，低電壓、低功率積體電路技術發展有愈來愈急迫的 需要。然而，電源電壓的下降，雖可有效地節省數位電路的消耗功率，但 卻反而增加類比電路設計的困難。因此，類比電路若要操作在低電壓，又 要維持和高電壓相同的性能，對設計者來說是一項很大的挑戰。 三角積分調變器這項技術非常適合用來實現高解析度、高準確度、及 窄頻要求的類比數位轉換器，這在音頻及通信上有很相當多的應用。在本 計劃的研究中，是要設計一個開關運算放大器合成一個0.9伏特的二階積分 器，及一個新的低電壓多位元量化器的架構；並利用此積分器結合低電壓 多位元量化器合成一個二階多位元的低通三角積分調變器，藉以提升類比 數位轉換器在低電壓應用的解析度，以達到SOC的目標。研究步驟包含以 下四個步驟： (1) 第一部份提出符合需求的二階多位元類比數位轉換器架構，並在回授 路徑不匹配的考量下，利用MATLAB做電路係數的最佳化，求出較佳 的電路架構。 (2) 第二部份在元件的非理想特性下，設計出符合應用範圍的開關式運算 放大器規格。並以CMOS技術設計出符合需求的開關式運算放大器。 (3) 第三部份，設計出低電壓多位元之量化器電路，以符合三角積分調變 器的應用。 (4) 第四部份，以電路特殊技巧設計出僅用一個開關運算放大器合成一個 低電壓二階多位元之積分器，以減少晶片所需面積及消耗功率。再利用此二階積分器，結合多位元量化器電路，合成一個低電壓二階多位 元之低通三角積分調變器，以期能有效提高類比數位轉換時的解析 度，符合低電壓、高性能應用上的需求。Item A 1-V 10.7MHz Fourth-Order Bandpass ΔΣ Modulators Using Two Switched Opamps(Institute of Electrical and Electronics Engineers�(IEEE), 2004-11-01) Chien-Hung Kuo; Shen-Iuan LiuA 1-V 10.7-MHz fourth-order bandpass delta-sigma modulator using two switched opamps (SOPs) is presented. The 3/4 sampling frequency and the double-sampling techniques are adapted for this modulator to relax the required clocking rate. The presented modulator can not only reduce the number of SOPs, but also the number of capacitors. It has been implemented in 0.25- m 1P5M CMOS process with MIM capacitors. The modulator can receive 10.7-MHz IF signals by using a clock frequency of 7.13 MHz. A dynamic range of 62 dB within bandwidth of 200 kHz is achieved and the power consumption of 8.45 mW is measured at 1-V supply voltage. The image tone can be suppressed by 44 dB with respect to the carrier. The in-band third-order intermodulation (IM3) distortion is 65 dBc below the desired signal.Item A 1.5-mW, 23.6% frequency locking range,24-GHz injection-locked frequency divider(2010-09-30) Yen-Hung Kuo; Jeng-Han Tsai; Tian-Wei HuangA K-band low-power and wideband injection-locked frequency divider (ILFD) using 0.18-μm CMOS technology is presented in this paper. To achieve the wide-locking-range and low-power consumption, the inductive peaking and current-reused techniques are adopted. The measurement results show that the proposed ILFD has a locking range of 5.5 GHz (23.6%), from 20.5 to 26 GHz, at the incident power of 0 dBm, with a very low power consumption of 1.5 mW. Among 180 nm and 130 nm CMOS frequency dividers, the proposed ILFD achieves wide locking range with the lowest dc power and RF injected power at K-band.Item A 1.7-mW, 14.4% Frequency Tuning,24GHz VCO with Current-Reused Structure Using 0.18-μm CMOS Technology(2009-06-01) Yen-Hung Kuo; Jeng-Han Tsai; Tian-Wei HuangItem 100年度健康主題宣導委託設計案(2011-08-31) 劉立行Item 100年度愛滋病防治網路行銷作品委託製作案(2011-10-03) 劉立行Item 100年度疫苗用冷藏管理宣導教育影片製作案(2011-08-31) 劉立行Item 1050-O純鋁電阻點銲之銲核形成及接合強度之可靠度分析(2002) 鄭淳護; Chun-Hu Cheng由於鋁合金1050性質接近純鋁，質輕且散熱性良好，成形性佳，對於散熱要求日趨嚴格的3C產業，純鋁或鋁合金的使用將會愈來愈普遍，且其電阻點銲的接合技術也日益重要。但就現今的鋁合金電阻點銲而言，接合方式仍有待改善，且在直流式點銲機昂貴而市面上仍以單相交流點銲機為主的情況下，純鋁電阻點銲的應用勢必會受到限制。 本研究利用大型單相交流點銲機來進行鋁合金1050-O商用材點銲。在不同電阻點銲製程參數(熔接電流、通電時間及電極加壓力)下，針對不同厚度之鋁合金1050的銲核成長及拉剪強度作探討，且進一步尋求微硬度、銲核大小、拉剪強度與點銲製程三參數間的關係。最後取最佳製程參數範圍的拉剪強度值，利用韋伯分佈函數來探討鋁合金1050-O點銲後接合強度的可靠度。 由銲核微觀組織與微硬度試驗結果得知，銲核附近組織可區分為三個區域，分別為熔融區、熱影響區及母材。熔融區的微硬度值最高，母材微硬度值次之，熱影響區的微硬度值最低。且在適當的銲接條件下，銲核的微硬度會隨著通電時間和熔接電流的增加而下降，也會隨著電極加壓力的增加而增加。而銲核尺寸則會隨著熔接電流和通電時間增加而增加，隨著電極加壓的增加而下降。 由於實驗材料三種板厚的實驗結果具有相同的趨勢，本研究內容以1mm板厚試片的實驗結果為例，敘述製程參數與拉剪強度間韋伯解析之相關性。由二參數韋伯可靠度分析結果得知，在使用單相交流點銲機進行單點搭接之點銲時，銲後點銲件的接合強度之韋伯模數均大於1，屬於磨耗故障型。另外，在熔接電流固定且考慮最小壽命(t0)的情況下，通電時間10cycles和電極加壓力100kgf是本研究製程參數中最能預測極限拉剪強度值之銲接條件，同時也是二參數韋伯模數中，可靠度最佳的銲接條件。故本研究1mm相對最佳製程參數為熔接電流17.3kA，通電時間10cycles，電極加壓力100kgf。 且由相同的實驗方法得知，0.8mm的最佳製程參數為熔接電流17.3kA，通電時間10cycles，電極加壓力60kgf。而1.2mm試片的最佳製程參數為熔接電流17.3kA，通電時間13cycles，電極加壓力100kgf。Item 108課綱下生活科技教師專業學習社群運作之研究-以新北市某國中為例(2022) 潘怡安; Pan, Yi-An本研究採行動研究，旨在探究新北市快樂國中(化名)在108課綱科技領域的成立下，為改變生活科技實作課程與提升教師專業成長所發展之生活科技教師專業學習社群。藉由研究者省思、觀察記錄、個別訪談以及文件分析等工具蒐集資料，瞭解教師專業學習社群的發展階段、探究社群運作策略、分析社群運作對於生活科技實作課程實施情形以及對教師專業成長之影響，並探討生活科技教師專業學習社群所面臨之困境與因應作法，本研究經整理與分析後歸納結果如下：一、快樂國中生活科技課程實施情形受到我國課程實施脈絡所影響二、快樂國中生活科技教師專業學習社群運作經歷「籌備階段」與「運作階段」三、快樂國中教師專業學習社群的運作策略包含「生活科技課程實施」、「教師增能」、「共學與共備」等三大主軸四、教師專業學習社群的運作有助於改善生活科技的教與學五、教師專業學習社群面臨結構、技術與支持條件等問題Item 16G航空座吸衝器(國立臺灣師範大學科技應用與人力資源發展學系, 1997-12-??) 工業技術研究院Item 19 GHz 單邊帶混頻器與可變增益放大器設計(2023) 王佾雯; Wang, Yi-Wen隨著B5G和6G的發展，衛星通訊逐漸被視為下一世紀重要發展中的一部分，Ka頻段衛星通訊則在17.7-20.2 GHz和27.5-30 GHz。在相位陣列(Phase Array)架構的射頻接收機中，混頻器(Mixer)和可變增益放大器(Variable Gain Amplifier)為重要的元件。隨著互補式金氧半導體製程(CMOS)的進步，相較於其他製程CMOS具有低成本及低功率消耗等優勢。本論文將使用標準65-nm製程，實現19 GHz高邊帶抑制度單邊帶混頻器與19 GHz可變增益放大器。第一個電路為19 GHz高邊帶抑制度單邊帶混頻器設計介紹，從混頻器架構、設計參數到模擬量測結果，由單顆混頻器的設計作為基礎，使用被動電阻式環形混頻器架構，能有較好的頻寬特性，且不需要直流功率消耗。再藉由輸入正交訊號，經過I Path混頻器、Q Path混頻器，消除其中一邊頻帶的鏡像訊號，以提高系統靈敏度。該混頻器在LO驅動功率3dBm、閘極偏壓同 V_g 為0.35 V時，轉換增益 -20.3±1.5 dB，在RF頻率13~23 GHz範圍內實現了55.5%的分數頻寬(FBW)，並達到大於30 dBc的寬頻邊帶抑制度。此外，在RF頻率從18.5至20.2 GHz和IF頻率從2.8至5.7 GHz的範圍內，混頻器的邊帶抑制度高於55 dBc。輸出1dB壓縮點(OP1dB)為-15.7 dBm，且整個頻帶的隔離度均優於47 dB，晶片面積為0.885×0.8 mm2，且無直流功率消耗。第二個電路為19 GHz可變增益放大器，從可變增益放大器架構、設計參數到模擬量測結果，設計上採用Current Steering架構，控制方式為數位控制，本次設計為串接兩級以兼顧雜訊和輸出功率，電晶體類比控制之Current Steering架構來調整增益，使增益可變。除此之外加入Body-Biased架構改善低供應電壓時導致的低可變曾亦範圍問題。低供應電壓和低功耗可變增益放大器。在低供應電壓1V、低功率消耗18mW時，小訊號增益22.38 dB、增益調節範圍9.98 dB，RMS振幅誤差低於0.5 dB，晶片面積為0.825 × 0.55 mm2。Item 1930~1990年代的台灣活版印刷發展之研究(1999-04-30) 吳祖銘; 許瀛鑑Item 1976年美國工藝教育學會年會參加記(國立臺灣師範大學科技應用與人力資源發展學系, 1976-11-??) 呂嘉衞Item 1987-2004年臺灣職業教育政策發展與回顧(2006) 張馨尹中文摘要 本研究主要探討臺灣1987年至2004年期間職業教育政策的發展，從經濟與人力資源的層面來探討，其研究目的為：一、探討1987年至2004年臺灣職業教育政策的形成與演變；二、影響職業教育政策制定的因素；三、職業教育政策對於臺灣發展的影響分為1.職業教育的經濟效益；2.勞動市場薪資與教育機會的比較；3.職業教育對勞動力素質的影響。 本研究主要採文件分析探討職業教育政策的演變與制定的因素，以實証函數分析式探討職業教育私人投資報酬與薪資影響因素，以描述性統計探討勞動市場的薪資與教育機會的比較以及勞動力素質的變化，所蒐集之資料係利用SPSS12.0版統計軟體進行處理分析。 根據研究發現所得到之主要結論如下： 1. 職業教育以培育各行各業的基礎技術人力為主，故其政策的制定常隨著臺灣的經濟建設計畫與人力發展計畫做調整。 2.職業教育的政策需考量人口與就業結構及產業結構的變化等因素。 3.高職的投資報酬率較高中的投資報酬率低，但高中與高職的教育別對於薪資影響的因素未達顯著。 4.職業教育能提高女性的薪資成長率與就學機會，促進兩性的教育機會均等。 5.工業部門與服務業部門平均的教育程度提高，職業教育確實有助於提升臺灣整體勞動力的素質。 最後，綜合本研究所獲得的研究發現與結論，提出對未來政策的建議與對後續研究者的建議。 關鍵字：職業教育、教育政策、私人投資報酬、教育機會、勞動力素質Item 1990年後宜蘭地區農舍建築外形之研究(2008) 游適瑝本研究旨在探討分析宜蘭地區農舍建築物外形。蒐集相關研究及文獻探討與田野調查經歸類、分析、綜合、比較的結果，彙整宜蘭地區農舍建築的外觀特性、建築形式、特殊造形。研究結果歸納如後： 壹、地方色彩之形成 在眾多農舍資料整合中，我們無法定義某局部區域有特殊共通點，但由於建築是一種『模仿』的行為，在大環境（宜蘭地區）為一封閉地形，極易有互相取樣的特性，農舍營造不只是反映日常生活形式，亦為涵蓋生命規劃與個人價值的過程。 貳、宜蘭農舍之建築形式 自1960 年後，由鋼筋混凝土構成的農舍取代傳統竹圍瓦厝，新式農舍在形式與空間規劃上也脫離傳統瓦厝的格式，傾向都市或外來文化型態，這不只代表建築形式與營造技術的進步，以及使用者對環境、生活品質的需求增加，也是傳統式微的象徵。在新舊取捨之間，宜蘭農舍傾向以新式（或西式、都市化）的做法。 我們可將研究結果歸納出宜蘭農舍反應環境與生活形式的演變，社會科技進步，建築形式與材料工法也不斷更新改變。Item 1999專線客服人員職能內涵之研究(2009) 汪芷瑋; Chih-Wei, Wang本研究旨在瞭解1999專業客服人員之職能內涵。研究過程透過相關文獻探討與專家訪談發展問卷以建構職能之理論基礎和架構，經過專家審查後編製為研究問卷。問卷針對目前設置1999專線的臺北市、高雄市、臺北縣與苗栗縣之客服人員進行普查，共寄發144份問卷，回收有效問卷102份，回收率71%。本研究以描述性統計、T考驗、單因子變異數分析及Tukey事後比較法等方法進行資料分析，得到結論如下： 一、1999專線客服人員職能內涵三職能構面、十五項職能項目與六十五項行為描述；二、1999專線客服人員對職能內涵的認知以自我概念構面下之「職業道德」重要程度最高；三、1999專線客服人員對職能內涵的認知以個人特質構面下之「人際互動」及「耐心與細心」具備程度較低；四、1999客服人員對職能內涵重要程度的認知受性別、職級以及是否具其他客服經驗影響而有顯著差異；五、不同1999客服人員對職能內涵具備程度的認知受職級、年資以及是否具其他客服經驗影響而有顯著差異；六、1999客服人員對職能內涵重要程度與具備程度的認知大多達統計上顯著差異。