界面活性劑運用於微機電製程之異方性濕式矽蝕刻技術開發
| dc.contributor | 國立臺灣師範大學機電工程學系 | zh_tw |
| dc.contributor.author | 楊啟榮 | zh_tw |
| dc.date.accessioned | 2014-10-30T09:36:23Z | |
| dc.date.available | 2014-10-30T09:36:23Z | |
| dc.date.issued | 2004-11-01 | zh_TW |
| dc.description.abstract | 非等向性溼式蝕刻是微機電體型微加工技術的重要製程，攪拌方式是影響非等 向性溼式蝕刻的主要參數之一，影響的範圍包括蝕刻速率及蝕刻面的表面粗糙度等。一般非等向性溼式蝕刻是使用磁石攪拌方式，本研究則利用超音波振盪以及添 加界面活性劑的方式來代替，並針對KOH蝕刻液TMAH蝕刻液進行一系列的實驗。 實驗結果發現，KOH蝕刻液使用超音波振盪可以使蝕刻面達到甚至是 Ra 47.5的表面粗糙度，並提高蝕刻速率。但輸出功率過大對於微結構會產生損傷的現象； 添加陰離子型界面活性劑，在沒有任何攪拌的情況下亦可達到與超音波相同的效果。TMAH 蝕刻液添加陽離子及非離子型界面活性劑皆可使表面粗糙度降低，其中非離子型界面活性劑更有減緩底切現象的作用。 | zh_tw |
| dc.identifier | ntnulib_tp_E0403_04_009 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | http://rportal.lib.ntnu.edu.tw/handle/20.500.12235/37036 | |
| dc.language | chi | zh_TW |
| dc.relation | （國科會專題研究計畫，NSC92-2622-E003-002-CC3） | zh_tw |
| dc.subject.other | 非等向性溼式蝕刻 | zh_tw |
| dc.subject.other | 磁石攪拌 | zh_tw |
| dc.subject.other | 超音波 | zh_tw |
| dc.subject.other | 界面活性劑 | zh_tw |
| dc.title | 界面活性劑運用於微機電製程之異方性濕式矽蝕刻技術開發 | zh_tw |
| dc.title | Development of Surfactants Applied to Silicon Anisotropic Etching Technology in MEMS Process | en_US |