學位論文
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Item X頻帶互補式金氧半功率放大器設計與實現(2015) 黃望龍; Huang, Wang-Lung對於射頻收發器系統來說，功率放大器扮演著相當重要的角色，為了達到高輸出功率與高效率，現今，功率放大器的設計以砷化鎵製程(GaAs process)為主。近年來隨著CMOS的進步，射頻電路大部份已經成功整合至CMOS 製程當中，且CMOS具有低功率消耗、低成本、高整合度的優勢，因此本論文將設計及實現三個使用不同功率合成技術的X頻帶互補式金氧半功率放大器。 第一個電路為變壓器功率合成技術之X頻段功率放大器，藉由變壓器實現功率合成而達到較高的輸出功率，量測增益("S" _"21" )為14.189 dB，飽和輸出功率("P" _"sat" )為24.74 dBm，1dB增益壓縮輸出功率(〖"OP" 〗_"1dB" )為16.63 dBm，最高功率附加效率(PAE)為19.9 %，晶片佈局面積為0.56 mm^2。 第二個電路為串聯結合變壓器功率合成技術之X頻段功率放大器，藉由堆疊每一功率元件的電壓，進而抬高整體的輸出電壓及功率，量測增益("S" _"21" )為13.08 dB，飽和輸出功率("P" _"sat" )為26.3 dBm，1dB增益壓縮輸出功率(〖"OP" 〗_"1dB" )為23.3 dBm，最高功率附加效率(PAE)為12.6 %，晶片佈局面積為1.08 mm^2，。 第三個電路為基於變壓器的電流合成技術之X頻段功率放大器，將兩組功率放大器元件直接並聯，藉此提高輸出功率，量測增益("S" _"21" )為13.4 dB，並達到27.3 dBm的飽和輸出功率("P" _"sat" )，23.84 dBm的1dB增益壓縮輸出功率(〖"OP" 〗_"1dB" )及19 %的最高功率附加效率(PAE) ，晶片佈局面積為1.27 mm^2。