教師著作
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Item 類LIGA製程應用於靜電式微馬達光開關之研製(2002-07-31) 楊啟榮本研究採用厚膜光阻製程與微電鑄技術之UV-LIGA製程，製作出低成本之微光開關元件。實驗結果顯示SU-8光阻可為光開關之結構材料，達到簡化製程、降低成本的目的。製作完成的微光開關結構實體之可動結構於釋放後，將針對靜電式致動器的驅動性能予於測試。再者，亦將針對微反射鏡的光學反射品質與光路切換的響應速率作評估分析。Item KrF準分子雷射LIGA製程用厚膜光阻劑之合成與應用(2000-07-31) 李育德; 楊啟榮Item 整合光輔助電化學穿孔蝕刻與微電鑄技術應用於微金屬柱陣列之研製(2007-11-23) 楊啟榮; 李明承; 羅嘉佑; 張龍吟本研究將整合光輔助電化學蝕刻(ECE)與精密電鑄技術，以開發高密度金屬垂直結構陣列之製程技術。利用改變光照強度與電流密度等實驗條件，以電化學蝕刻達到矽晶圓高密度微穿孔的目的，再利用精密電鑄技術進行穿孔之金屬導體填充，如此可實現高密度金屬垂直結構陣列。未來可應用於積體化探針陣列之製作，或利用晶圓內垂直導體而實現晶圓級堆疊封裝之目的。此技術開發有設備與製程成本低、可積體化生產、與半導體製程相容性高、批次生產與良率高等特點。 基於上述，本研究利用自行開發之低成本電化學蝕刻(ECE)設備，順利測得相關製程之最佳參數。由實驗結果已驗證，在利用電化學蝕刻技術製作高深寬比微孔洞陣列方面，當蝕刻時間達到31.5小時，可得高深寬比之穿孔結構。所用之晶片為n-type <100>，其蝕刻液為2.5 wt.%之氫氟酸溶液，陽極放置矽晶片，陰極為白金電極，獲得之穿孔其線寬為40 μm，深寬比約為12.5，證明利用此技術已能局部取代乾式蝕刻之應用領域。在金屬柱電鑄方面，利用正負脈衝電流，使金屬柱陣列能順利成形，其金屬柱高度約500 μm，深寬比約為12.5。Item 超低反射率之抗反射矽結構研製(2008-11-09) 楊啟榮; 羅嘉佑; 黃茂榕; 李幸憲; 趙偉迪本研究以自行開發之光輔助電化學蝕刻(photo-assisted electrochemical etching, PAECE) 系統，對矽材料進行電化學蝕刻，形成具有陣列性質之表面結構，且不需沉積抗反射膜，即可大幅降低其表面之反射率。未來可望應用於矽基太陽能電池之抗反射結構，進而提升電池之光電轉換效率。此技術之開發有設備與製程成本低、可批次生產、良率高，且與半導體製程相容性高等特點。由實驗結果已證實，在光波長200-850 nm的範圍下，拋光矽表面之反射率約為38.32%，經由光輔助電化學蝕刻製程5 hr所形成之多孔矽表面，可得到反射率約為0.57%。若將蝕刻時間縮短為2 hr，並將矽表面蝕刻形成孔洞陣列，可得更低之反射率約為0.43%。以此技術進行矽基穿孔之製程，穿孔陣列結構之反射率仍約為0.42-0.43%。本研究證明以光輔助電化學蝕刻技術能製備低成本且超低反射率之抗反射結構，若應用於太陽能電池方面，對太陽能電池之普及化將有極大的助益。Item 微系統類LIGA製程光刻技術(財團法人國家實驗研究院儀器科技研究中心, 2001-02-01) 楊啟榮; 強玲英; 郭文凱; 林郁欣; 林暉雄; 張哲瑋; 趙俊傑微系統類 LIGA 製程在微結構的厚度、深寬比、精度方面雖不如 X-ray LIGA 製程，但在生產成本、耗時性、製程彈性方面卻遠優於 X-ray LIGA 技術。在 MEMS 應用領域次微米精度與極大深寬比並非絕對必要的前提下，類 LIGA 製程仍有其發展空間。本文將針對類 LIGA 製程光刻技術作通盤性的介紹，內容涵括標準 X-ray LIGA 製程、類 LIGA 製程的厚膜光阻 UV 微影技術、準分子雷射微細加工及感應耦合電漿離子蝕刻技術。Item 微系統類LIGA製程與應用技術(越吟出版社, 2001-01-01) 楊啟榮; 強玲英; 郭文凱; 張哲瑋; 林暉雄; 謝佑聖; 李育德