學位論文
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Item (3+1)維量子海森堡模型的low-energy 常數—自旋波速度、自旋剛度及交錯磁化密度—之蒙地卡羅計算(2013) 韓仁傑在本篇論文中，我們以蒙地卡羅方法計算出(3+1)維量子Heisenberg模型的low-energy constants，並與已知的自旋波理論互相驗證。論文的一開始我們介紹相關的背景，特別是我們會介紹高溫超導體的發現，及人們為何對量子Heisenberg model有濃厚的興趣。在瞭解這些背景之後，我們會介紹本篇論文使用的stochastic series expansion演算法，以及介紹我們要測量的物理觀測量。最後我們將得到的三維spin-1/2 量子Heisenberg模型low-energy constants的結果與自旋波理論做個比對。我們發現比起二維的情況，自旋波理論的結果和我們所得到的值有更好的吻合。Item (A’1/3A”2/3)1/2Ti1/2O2 (A’:Mg, Ni, Zn; A”:Nb, Ta)微波陶瓷材料之拉曼光譜與延伸x光吸收精細結構分析(2008) 楊紹瑋; Shau-Wei Yang本文利用拉曼散射、X光繞射和延伸X光精細結構光譜（EXAFS）等光學方法來測量擁有金紅石(rutile)結構的(A’1/3A”2/3)1/2Ti1/2O2樣品（A’: Mg, Ni, Zn; A”: Nb, Ta）中氧八面體結構與其微波性質的關連性。藉由改變不同的A’及A”的原子，品質因子和介電常數都有顯著的變化。在此，我們將我們的樣品分成兩組：一組為(A’1/3Nb2/3)1/2Ti1/2O2，(A’: Mg, Ni, Zn)；另一組為(A’1/3Ta2/3)1/2Ti1/2O2，(A’: Mg, Ni, Zn)。 從EXAFS的分析可以發現：不同的A’原子，其Ti-O鍵長（即氧八面體體積）會產生不同的變化，而且散射中心到相鄰單位晶格中心的距離(即c軸長度)對於介電常數有著非常大的影響。在拉曼部份，我們比對了1倍及具有奈米結構的金紅石拉曼圖形，發現到我們的拉曼實驗數據較為接近奈米結構的金紅石，這也就是說我們的樣品具有奈米結構的特性。此外，與氧原子相關的拉曼振動模基本上會隨著A’原子的重量增加而產生紅移。透過理論的計算所得到的頻率變化趨勢，與我們分析得到的頻率變化趨勢相同，且都與介電常數有關－氧八面體結構越緊密，介電常數越小；另外透過比對與氧原子相關的拉曼振動模峰值的半高寬與品質因子，我們得到了半高寬越小品質因子越好的結果。從拉曼散射和延伸X光精細結構光譜實驗都顯示本文材料的微波特性與氧八面體微觀結構直接相關。Item A(B’1/3B”2/3)O3介電陶瓷之微觀結構與微波特質關聯性研究(2006) 陳美瑜; Mei-Yu Chen本文利用拉曼散射、X光繞射和延伸X光吸收譜等光學方法來測量A(B’1/3B”2/3)O3鈣鈦礦陶瓷中氧八面體結構、 1：2有序結構與其微波性質的關連性。樣品共有三組，第一組樣品為不同燒結條件的Ba(Mg1/3Ta2/3)O3。此組樣品皆為Q×f值非常高的樣品，X光繞射分析發現1：2有序程度高其Q×f值越高。此組Ba(Mg1/3Ta2/3)O3樣品的微觀結構非常相近，氧八面體體積差異無法由拉曼散射和X光吸收實驗解析。第二組樣品為鎳掺雜之Ba(Mg1/3Ta2/3)O3，即xBa(Ni1/3Ta2/3)O3 +(1-x)Ba(Mg1/3Ta2/3)O3 (x=0~0.03)。X光吸收譜可以很明確知道鎳原子是取代鎂原子的晶格位置，而當鎳掺雜濃度越多時，氧八面體越緊密，此時介電常數也隨之減小；且鎳掺雜的越多，1：2有序結構被破壞的程度愈高，Q×f值也隨之降低。第三組樣品是燒結溫度介於1350~1550oC的五個Ba(Co1/3Nb2/3)O3陶瓷樣品。當燒結溫度為1400oC時，實驗發現Ba(Co1/3Nb2/3)O3具有最小的介電常數和最大的Q×f值。此樣品的氧八面體也最緊密、1：2有序程度也最好。燒結溫度高於1400oC之樣品，介電常數開始變大、Q×f值變小，且氧八面體結構開始鬆散、1：2有序程度變差。實驗顯示燒結條件會強烈的影響到晶體內氧八面體結構與1：2有序程度，其微波特性與氧八面體微觀結構直接相關。Item ABO3微波介電材料的光譜研究(2005) 張碧容; Pi-Jung Chang在這篇論文中利用拉曼光譜、x-ray光吸收譜以及x-ray繞射，來量測微觀狀態下鈣鈦礦結構(perovskite structure)的微波介電陶瓷材料結構性質與其微波性質之關連性。本文主要討論的鈣鈦礦結構陶瓷材料的是ABO3中之1：2結構，也就是A(B’1/3B”2/3)O3。其中主要探討的部份包含：Qf值與氧八面體結構之關係，以及微波介電係數是否受到陶瓷鈣鈦礦結構材料中陰陽離子間距的影響。 我們利用三組樣品來探討上述的微波特性與晶體結構的相關性。有兩組樣品是改變B晶體位置的樣品，第三組樣品是改變A位置的系列樣品。利用這兩個系列的樣品來說明A位置與B位置的取代對微波介電參數的影響。第一組樣品為xBa(Mg1/3Ta2/3)O3+(1-x)Ba(Mg1/3Nb2/3)O3（縮寫為xBMT+(1-x)BMN），這組樣品是針對改變B”位置的離子，探討結構與微波關連性。我們發現第一組樣品中，圍繞在B”位置周圍的O離子所形成的氧八面體結構對於Qf值有極強烈相關性，而Ta離子與O離子的距離對於介電係數之也有影響。經由延伸X光吸收精細結構(Extended x-Ray Absorption Fine Structure)的擬合發現，在xBMT+(1-x)BMN中，當x增加時，即Ta離子在B”位置上的含量越來越多時，氧八面體會越趨於緊密，也就是Ta離子距O離子的距離越來越小，同時介電係數也有此趨勢，由此我們可以證明介電係數確實與陰陽離子的間距相關；經過計算後，我們可以獲得在此材料中站在B”位置上的離子與O離子平均偏移量與Qf值之關係，此偏移量可以看成是氧八面體的扭曲程度，可以發現當平均偏移量較大時Qf值會相對較小，所以未摻雜的Ba(Mg1/3Ta2/3)O3或是Ba(Mg1/3Nb2/3)O3會有較高的Qf值。在x=0.5時Qf值最小的原因是此時Ta與Nb各佔一半在B”位置上，1：2有序的情況最差，因而有最小值；在x=0.75的樣品具有較大的偏移量使得Qf值較x=0.25的樣品低相當多。 第二組樣品是xBaTiO3-(1-x) Ba(Mg1/3Ta2/3)O3；Ti離子同時取代Mg與Ta離子，在x-ray繞射的結果可看出，隨著濃度上升晶格常數及Qf值變小而介電係數卻上升；我們歸因於入雜質Ti會造成氧八面體之扭曲而造成介電係數以及A1g(O)聲子的半高寬增加，在拉曼光譜中，1比2的結構聲子也隨著濃度漸漸不明顯，使得Qf值下降。 在第三組樣品：xSr(Mg1/3Ta2/3)O3+(1-x)Ba(Mg1/3Ta2/3)O3（縮寫為xSMT+(1-x)BMT），由這組樣品可瞭解當A位置上的離子受到取代時，微波介電的特性與結構的關係，並與與B位置的取代的結果比較其異同。我們對xSMT+(1-x)BMT進行拉曼光譜的分析和x-ray吸收精細結構譜的擬合。在這兩項量測結果和微波量測的數據中，均發現有三段式的結構與微波特性的變化，其轉折點在x=0.5與0.75。拉曼測量中1：2比例結構的聲子在x>0.5後開始消失，並且在不同頻段增加很多新的聲子，而在x-ray吸收譜擬合，Ta-O距離傅利葉轉換圖譜也顯示出相對應的結構對稱變化。拉曼測量的結果可推測在x<0.5時Ba(Mg1/3Ta2/3)O3結構主導其結構特性與微波特性。我們發現離子半徑較小的Sr離子取代Ba離子時，造成整體結構變緊密使得大部分聲子有藍位移，但是對於TaO6氧八面體來說反而由於A位置取代成因電性較小的Sr離子讓氧八面體產生形變，使得A1g(O)聲子半高寬上升。入半徑較小的Sr離子，也造成A位置上的離子距O離子的平均距離增加，因此介電係數值也增加。x-ray吸收精細結構分析也有相似的結果。在x=0.75後， Sr(Mg1/3Ta2/3)O3結構主導材料特性，而微波特性也隨著改變。Item AES系統架設及Co/W(111)之磁性量測(2010) 莊孟勳; Meng-Hsun Chuang在本篇論文裡面可以分成兩部分。第一部份是關於師大歐傑電子掃瞄儀的架設(Auger Electron Spectroscopy，AES)，主要是介紹自製能量分析儀控制器、電子槍控制器的介紹以及在校調能譜儀的一些經過。我們根據能量分析儀以及點子槍的電位需求，利用整流模組、高壓模組以及電阻、電容自製了AES系統周邊的一些電子元件，也藉由之後的量測顯示這些控制器運作非常良好。在量測的部分，我們藉由樣品做的下緣去切電子束的方式，估計電子束的聚焦直經約為1.8mm。我們找到了在真空中AES系統的最佳量測位置為(x,y,z)=(48mm , 25mm , 178.5mm)，而且還發現樣品訊號對於距離歐傑電子掃瞄儀洞口的垂直距離相當的敏感，可以在2mm之內減少75\%的訊號強度。\\ 第二部分是初期的工作，主要是利用磁光柯爾效應(Magnetic Optical Kerr Effect，MOKE)觀察Co/W(111)在不同薄膜厚度以及溫度的狀況下薄膜的磁性。我們嘗試的厚度有2、3、5、9 Physical Monolayer(1PML恰可剛好將晶格表面完全覆蓋，對W(111)而言相當於3個ps ML。ps ML全名為pseudo monolayer，1 ps ML的原子數量相當於形成晶體最表層平面所需的原子數量)、嘗試的溫度有尚未熱退火的100K，經過5分鐘300K熱退火之後的100K、200K、300K。我們發現Co在4 PML在100K熱退火前後以及200K、300K都可同時看到垂直以及水平的磁滯曲線。不過當厚度為3 PML以下時，在100K的時候還看的到垂直和水平磁滯曲線共存，不過當溫度大於200K的時候就只能看的到水平的磁滯曲線。Item Anderson Localization in a Bose-Einstein Condensate with Finite Range of Interaction(2019) 王振銓; Russell OngnoneItem Ba(B’1/3B”2/3)O3之材料特性研究與在天線方面應用(2014) 陳美瑜; MeiYu Chen本論文主要分成兩部分，主要目的在探討Ba(B’1/3B”2/3)O3 鈣鈦礦結構行為。Ba(B’1/3B”2/3)O3為工業上主要的微波介電材料，其中Ba(Mg1/3Ta2/3)O3更是以低介電損失而聞名。本文中將利用第一原理模擬計算去推測完美的Ba(B’1/3B”2/3)O3晶體其體積模量(bulk modulus), 包含拉曼與紅外線吸收的聲子振動行為，以及由聲子與電子貢獻的介電常數。另一方面利用Ba(Mg1/3Ta2/3)O3材料去設計一個介電共振天線。首先，利用第一原理模擬出Ba(Mg1/3Ta2/3)O3與Ba(Mg1/3Nb2/3)O3的體積模量分別為156 GPa與258 GPa。Ikawa et al 教授的論文(1998)中顯示了實驗Ba(Mg1/3Ta2/3)O3的體積模量為154 GPa，這實驗結果與本論文中模擬體積模量相當接近。可惜的是 Ba(Mg1/3Nb2/3)O3材料並沒有實驗的體積模量數據可供比較。第一原理也可分析並提供Ba(B’1/3B”2/3)O3簡正振動模的頻率與行為，包含了九個拉曼聲子，十六個紅外聲子以及三個無法激發的聲子振動模。詳細的分類與振動型式可見附錄一。經由第一原理推測出的Ba(B’1/3B”2/3)O3單晶理論頻率與參考論文中的陶瓷多晶樣品實驗頻率相當的接近。在計算介電常數上，Born and Huang 提供了有效電荷模型可計算由聲子提供的介電貢獻。在微波範圍中，只要考慮聲子與電子的介電貢獻，經由計算後，模擬Ba(Mg1/3Ta2/3)O3 的聲子與電子介電貢獻分別為23.4 與 4.14。此結果與紅外吸收實驗所得知結果相當接近(εr(phonon)=23.3 and εr(electron)=4.4). 而 Ba(Mg1/3Nb2/3)O3的理論推測值結果也相當符合實驗。而有四個對介電貢獻貢獻重大的聲子分別為2Eu, 2A2u, 4Eu, 與3A2u，其中兩個聲子(2Eu and 2A2u) 為鋇離子與其他離子的相對運動；而另外兩個聲子(4Eu, 3A2u) 為B” 離子與氧的的相對運動。經由辨別各聲子的運動行為，我們可以解釋參雜不同雜質的Ba(B’1/3B”2/3)O3聲子改變行為，例如SrxBa1-x(Mg1/3Ta2/3)O3 (x< 0.5)。 在參雜量小於0.5 ，拉曼光譜並無相變，兩個A1g 特徵模(420 cm-1 and 800 cm-1)卻有不同的頻率改變行為。這可以合理推測鍶離子偏好位於鋇離子與鎂離子的位置，而非鉭離子的位置。而且因為鍶偏好佔據鋇離子位置上而且鍶離子具有較小的質量與較大的Born 有效電荷導致隨著參雜濃度增加，樣品的介電常數也隨之增加。在Ba(B’1/3B”2/3)O3 的應用上，本文使用Ba(Mg1/3Ta2/3)O3 材料設計一個介電共振天線，其主要應用在無線通訊方面，共振頻率在2.4 GHz 至 2.484 GHz。此天線在2.44 GHz中有最小的回饋損失(Return loss) -34.67 (dB)，與最強的效率(68 %)與天線增益(5.13)。在3D的輻射途中，天線的xy 平面具有類似全方面的輻射圖，但是在y-z與 x-z 平面表現出定向的輻射。Item Berry相位和半古典動力學(2009) 郭昌昊; Chang-Hao Kuo我們對晶格內的電子波包加上緩慢而平滑的微擾，並研究它的半古典動力學。我們推導出能量的一階梯度修正項，以及包含了Berry 相位影響下的半古典動力學和量子化條件。 第一個工作是研究晶格變形下的微擾，並探討Berry相位在Lagrangian內如何讓電子波包追隨晶格軌跡，晶格軌跡是半古典運動方程(波包速度和半古典作用力)中新形式的修正項。具有剪應變的晶格內，晶格軌跡會造成波包的橫向位移。 第二個工作是考慮具有渦旋態的半古典波包，這種波包在傳播方向呈現螺線形的波前，並具有軌道角動量 。我們發現磁單極形式的Berry曲率出現在動量空間裡，提供橫向位移的要素。在電場裡，這種波包的行為像是具有自旋m光子。在磁場中，將會出現Zeeman效應，它連結到更複雜的力學結構。Item Biomimicry of Human Pattern Recognition by Puzzle Solving Simulation(2023) Syifa Fauzia; Fauzia, SyifanoneItem Co/CoO/Ir(111)超薄膜之磁性研究(2007) 陳俊明本研究是在超高真空環境下於氧壓下鍍Co的方式將獲得的CoxO1-x蒸鍍在Ir(111)表面上，再於CoxO1-x/Ir(111)系統上鍍Co而形成Co/CoxO1-x超薄膜。以歐傑電子能譜儀與表面磁光柯爾效應儀對此超薄膜進行表面組成及磁性性質之分析，藉此一系列地研究探討不同氧壓下成長的CoxO1-x對Co磁性的影響。在經由歐傑電子能譜儀分析的CoxO1-x成長與深度組成，發現到其CoxO1-x薄膜在Ir(111)的表面上為O、Co、CoO的混合薄膜，而再經由表面磁光柯爾效應儀的測量，我們發縣矯頑力隨著溫度的下降至某一溫度後突然增加，其原因為CoxO1-x與Co介面間的交換耦合現象，使得鐵磁層的磁矩儲存一交換異向能，因此要讓磁矩翻轉需要更大的外加磁場，因此Hc值會突然增加。另外，在越大氧壓下成長的樣品薄膜其Hc值突然增加的溫度越低，這是因為CoxO1-x薄膜中的氧會往上擴散到Co薄膜中，而在氧壓越大時成長的CoxO1-x薄膜會有越多的O原子擴散到Co薄膜中，使得Co薄膜中的有效Co顆粒變小，所以我們必須將溫度降到更低交換偏移的效應才顯示出來。Item Co/Fe/Pt(111)的磁性研究(2007) 何淙潤我們利用表面磁光柯爾效應儀(SMOKE)探測鐵超薄膜在純白金以及鈷超薄膜在鐵與白金所形成的磁性基底上磁性隨著薄膜厚度的變化。 Fe在Pt(111)上的成長，其磁性和薄膜厚度的關係受外加磁場的大小影響而有所不同，利用小磁場可以測得磁化易軸位於in plane方向，隨層數增加到3 ML也是。1 ML Fe/Pt(111)經退火效應後在室溫測量磁滯訊號，發現只有在Longitudinal方向有值，當退火溫度到600 K～650 K時，有SRT發生，800 K時磁滯曲線消失。低溫成長的1 ML Fe/Pt(111)樣品，有垂直異向性（PMA）現象發生，磁化易軸在out of plane方向上。 dCo/1 ML Fe/Pt(111)樣品的磁性探測，隨Co原子的層數增加，其L-MOKE在柯爾訊號和矯頑磁場都會有增強的現象，當蓋上1 ML Co時，有增強P-MOKE的柯爾訊號，隨Co原子層數增加到2 ML以上，P-MOKE消失。分別在1～3 ML Fe/Pt(111)樣品上鍍上1 ML Co原子，發現都有P-MOKE及L-MOKE柯爾訊號增強的情況。 1 ML Co/1 ML Fe/Pt(111)樣品退火處理後，在溫度為400 K上以，原本存在的P-MOKE柯爾訊號消失；溫度在400 K～500 K之間，磁滯曲線沒有明顯的變動，當溫度到達650 K以上，垂直異向性增強，而磁化易軸轉成out of plane，產生SRT現象。 經由以上鐵，鈷薄膜在不同基底的磁性探討，和實驗室之前的研究統整，希望將來能夠把鐵磁性物質在白金上的磁性與結構變化做個完整的探究。Item Co/FePS3與Pd/Mg/[Fe/Pd]n異質結構的磁性與功能性(2023) Alltrin Dhana Raja Gopal; Alltrin Dhana Raja Gopal在本論文中，我們首先研究鐵磁/二維反鐵磁材料(Co/FePS3)異質結構的介面磁耦合，這對於未來在自旋電子元件應用中至關重要。原子力顯微鏡揭露機械剝離法製備的FePS3薄膜表面存在約單層的缺陷。隨著Co層均勻地覆蓋於FePS3層，其表面粗糙度降至~ ±0.5 奈米。在磁特性方面，Pd/Co/FePS3異質結構表現出水平磁各向同性，並且當溫度從~85 K升高到~110-120 K時，磁矯頑力急劇降低<50%，這與FePS3的尼爾溫度相似。因此，該結果支持Co和 FePS3 薄膜之間界面磁耦合的想法。隨後，即使在高達 473 K的退火後，Co和 FePS3 薄膜之間的磁耦合仍然有效。此外，X射線磁圓二色性證實了沿平行於Co薄膜磁化的方向存在非補償Fe磁矩。淨Fe磁矩應該在調控水平異向性的Co薄膜和垂直異向性的FePS3層之間的磁耦合中發揮重要作用。 在接下來的研究中，我們探討氫氣對Mg/[Fe/Pd]x/Pd和[Fe/Pd]x/Pd多層薄膜的磁性響應。我們製備了不同Fe層厚度(0.1, 0.2, 0.4 nm)和不同週期的Fe/Pd多層薄膜，並利用磁光柯爾效應在大氣和氫氣環境下觀測樣品的磁特性。實驗結果顯示Fe/Pd多層膜在大氣和真空中表現出相同的磁特性。然而當樣品暴露於1巴的氫氣後磁矯頑力迅速下降，且在氫氣環境中保持穩定。即使樣品離開氫氣環境，此氫化效應仍可維持長達約1個小時，並且該效應對磁特性的影響是可逆的。此外，在真空和氫氣環境下皆可觀測到清晰的磁域翻轉影像，與磁滯曲線的變化相呼應。緊接著，我們使用氬氣對Mg/[Fe/Pd ]x/Pd多層膜表面轟擊，以產生微小的缺陷，使得薄膜相對於原始狀態具有更強的磁性響應。Item Co/Ni/Pt(111)的磁性研究(2006) 游勝凱我以實驗室自製的磁光柯爾效應儀（SMOKE），進行不同層數的Co原子層在up layer，以1 ML Ni當buffer layer 在Pt(111)上的研究。就實驗室先前的研究，我們知道在平坦的Pt (111)表面鍍上Co超薄膜時，當Co薄膜的厚度小於4 ML時，具有垂直磁異向性（PMA），即磁化易軸的方向為垂直於樣品表面的方向(out-of-plane)，Co厚度繼續增加時，磁化易軸的方向會轉為平行於樣品表面的方向(in plane)，spin reorientation transition發生在4～5 ML間。我所研究的dCo Co/1 ML Ni/Pt(111)系統，室溫與450K下準備樣品，0～3 ML Co/1 ML Ni/Pt(111)進行SMOKE量測，在polar和longitudinal方向皆無訊號，而4＆5 ML Co/1 ML Ni/Pt(111)，我們量測到longitudinal的柯爾訊號；而室溫準備樣品再升高到450K量測，發現1 ML Co/1 ML Ni/Pt(111)的磁化易軸在out-of-plane方向，而2＆3 ML Co/1 ML Ni/Pt(111)無柯爾訊號，4＆5 ML Co/1 ML Ni/Pt(111)，我們量測到longitudinal的柯爾訊號；並對dCo Co/1 ML Ni/Pt(111)系統做升降溫實驗，瞭解Co、Ni與Pt合金之後的磁性狀態。 另外，我也研究了dNi Ni/1 ML Co/Pt(111)系統，和先前實驗室將Ni超薄膜鍍在Pt(111)上，dNi Ni/Pt(111)的磁化易軸與樣品面夾一角度，經分析得 ，做個比較。學生所研究dCo Co/1 ML Ni/Pt(111)的系統，一開始1 ML Co/Pt(111)的磁化易軸為out-of-plane方向，蒸鍍上Ni原子層，直到24 ML Ni/1 ML Co/Pt(111)，磁化易軸仍為out-of-plane方向。並對2、12＆24 ML Co/1 ML Ni/Pt(111)做升降溫實驗，瞭解Co、Ni與Pt合金之後的磁性狀態。 我的研究結果顯示，當僅有1 ML Ni當buffer layer，Ni在白金上為磁性的dead layer，所以當Co原子層鍍上去，沒有out-of-plane方向的磁化易軸，當Co原子層數大於3層，磁化易軸為in-plane方向，與Co塊材的磁性狀態相似。而1 ML Co當buffer layer，Co在白金上造成，磁化易軸即為out-of-plane方向，繼續鍍上鐵磁性的Ni原子層，造成磁化易軸的強度增強；所以Ni-Pt與Co-Pt造成不同的鐵磁性質。Item Complex Scalar Dark Matter in Gauged Two Higgs Doublet Model(2019) Chrisna Setyo Nugroho; Chrisna Setyo Nugroho無中文摘要Item CoO/Co超薄雙層結構在半導體基底上之磁性研究(2007) 張新政本研究是在超高真空環境下使用蒸鍍方式成長Co、氧壓下鍍Co方式成長CoO，成長CoO/Co超薄雙層結構於Ge(100)與Si(111)上。以歐傑電子能譜儀與反射式高能量電子繞射儀進行表面組成分析，並以表面磁光柯爾效應儀進行室溫與以1 kOe外場冷卻下之磁性性質分析。在Co/Ge(100)上，要出現交換偏向效應需要10 ML的CoO層，而隨著CoO層厚度由10 ML增加到40 ML，阻隔溫度會由169 K增加到231 K。隨著CoO層厚度增加，CoO/Co/Ge(100)會出現環狀繞射圖形，代表更規則化。水平膜面方向的最大交換偏向場出現在25 ML CoO/ 25 ML Co/Ge(100)系統中，HE = 460 Oe，這比在CoO/Co/Ge(111)上所觀測到的小，且出現最大交換偏向場的厚度也較厚。CoO/Co/Si(111)也是有傾斜出膜面的異向性，且介面也會有化合，由於CoO層為多晶，導致交換偏向場會較小。Co/Ge(100)與Co/Si(111)都是磁化易軸接近水平膜面的方向，因此垂直膜面方向的矯頑磁力會叫水平膜面方向的大，導致在量測交換偏向效應時，垂直膜面方向因矯頑磁力超過本系統量測場(2 kOe)而無法的到可信的垂直膜面方向之交換偏向場。Item CuB2O4晶體在第一原理的研究(2019) 王俊凱; Wang, Chun-Kai研究CuB2O4反鐵磁性材料在第一原理中的能帶架構以及材料特性。 CuB2O4在第一原理中，使用六個單元的方式呈現週期性的結構分布，在這個晶格中a=11.357、c=5.542 Å, k-mesh使用4x4x4, nbands為400 並且使用VASP GGA+U的方法，其中Cu(A)&Cu(B)的U分別為U1=6.4eV, U2=7.0eV。 在計算中，我們發現CuB2O4的density of state(DOS)在導帶的地方會出現兩個非常明顯的尖點。一個是由Cu(A)&O(1)組成，另外一個則是由Cu(B)&O(2)&O(3)&O(4)所貢獻，因此我們希望可以分析出兩者的不同。Item Item Development of a Precision Tensiometer with Differential Capillary Instability Method(2017) 歐哲豪; Ou, Che-Hao無中文摘要Item Item Direct detection for Dark Matter in G2HDM and Z' search with Dark Matter at the LHC(2020) 劉于翔; Liu, Yu-Xiangnone