Rashba系統裡位壘穿隧的分析

dc.contributor	張明哲	zh_TW
dc.contributor	Ming-Che Chang	en_US
dc.contributor.author	劉佩琪	zh_TW
dc.contributor.author	Pei-Chi Liu	en_US
dc.date.accessioned	2019-09-05T02:06:58Z
dc.date.available	2005-7-15
dc.date.available	2019-09-05T02:06:58Z
dc.date.issued	2005
dc.description.abstract	Rashba spin-orbital coupling發生於二維的三五族半導體系統中,是由於自旋-軌道偶合與缺乏空間反轉對稱所造成的,使得電子依自旋方向可分為兩個態λ+與λ-,所以我們將電子束縛於x-y平面，形成二維電子氣（2DEG），並以某角度射向有限位壘（V）。位壘內外皆有Rashba coupling的作用，位壘內外的Rashba coupling constant皆為α,計算分析當電子以λ-態對位壘穿隧時,位壘內共振的情形與電子對位壘的穿透率,反射率。	zh_TW
dc.description.sponsorship	物理學系	zh_TW
dc.identifier	G0069241003
dc.identifier.uri	http://etds.lib.ntnu.edu.tw/cgi-bin/gs32/gsweb.cgi?o=dstdcdr&s=id=%22G0069241003%22.&%22.id.&
dc.identifier.uri	http://rportal.lib.ntnu.edu.tw:80/handle/20.500.12235/102384
dc.language	中文
dc.subject	位壘穿隧	zh_TW
dc.subject	Rashba	en_US
dc.subject	barrier	en_US
dc.subject	tunneling	en_US
dc.title	Rashba系統裡位壘穿隧的分析	zh_TW
dc.title	analysis of barrier tunneling in a Rashba system	en_US

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