新型高深寬比奈米孔洞陣列製作技術

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dc.contributor國立臺灣師範大學機電工程學系zh_tw
dc.contributor.author楊啟榮zh_tw
dc.contributor.author黃茂榕zh_tw
dc.contributor.author湯杜翔zh_tw
dc.contributor.author劉榮德zh_tw
dc.date.accessioned2014-10-30T09:36:19Z
dc.date.available2014-10-30T09:36:19Z
dc.date.issued2005-11-25zh_TW
dc.description.abstract本研究結合奈米球微影以及光輔助電化學蝕刻兩項技術之優點，用於製作高深寬比的奈米孔洞陣列。實驗的結果証實利用旋轉塗佈搭配震盪塗佈的方式，可將奈米球規則地排列於矽基板上，並且定義出單層與雙層奈米等級的圖案。而在光輔助電化學蝕刻的實驗中，証實了在添加界面活性劑的作用下，蝕刻液的接觸角可降低至 15度，具有超親水性的特性，並大幅改善擴孔現像，使得奈米級的高深寬比孔洞能夠輕易的產生。當使用1 V的蝕刻電壓與HF 濃度2.5wt%的蝕刻液，經過12.5分鐘的蝕刻後，能夠產生高度6.2μm，直徑為90nm 的高深寬比之奈米級孔洞，而孔洞的深寬比約為68:1。zh_tw
dc.identifierntnulib_tp_E0403_02_032zh_TW
dc.identifier.urihttp://rportal.lib.ntnu.edu.tw/handle/20.500.12235/36995
dc.languagechizh_TW
dc.relation2005 中國機械工程學會（CSME）第22屆全國學術研討會，E2-007，中壢：中央大學，臺灣。zh_tw
dc.subject.other奈米球zh_tw
dc.subject.other光輔助電化學蝕刻zh_tw
dc.subject.other奈米孔洞zh_tw
dc.title新型高深寬比奈米孔洞陣列製作技術zh_tw

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