石墨烯/鈷/銥(111)插層結構的磁特性研究

dc.contributor蔡志申zh_TW
dc.contributorTsay ,Jyh-Shenen_US
dc.contributor.author黃盛吉zh_TW
dc.contributor.authorHuang, Sheng-Jien_US
dc.date.accessioned2019-09-05T02:10:46Z
dc.date.available不公開
dc.date.available2019-09-05T02:10:46Z
dc.date.issued2018
dc.description.abstract本研究我們會系統化地研究不同界面對於鈷/銥(111)系統的磁性影響,利用歐傑電子能譜儀研究系統成分及化學狀態、表面磁光柯爾效應儀研究系統磁性變化。首先以石墨烯此一非金屬二維材料作為介面系統,並變更鈷厚度來探討石墨烯/鈷/銥(111)的影響變化。鈷薄膜皆會在熱退火後插層至石墨烯下方,並在鈷厚度還太薄時其系統的居禮溫度低於室溫,之後隨著鈷厚度增加,系統磁易軸會從極向慢慢轉往縱向,此外極向的矯頑力還會隨著鈷厚度增加而下降。之後嘗試覆蓋銀薄膜改變石墨烯/鈷的界面效應,同樣在熱退火後發現鈷會插層至銀/石墨烯下方,並發現銀能有效降低系統的極向矯頑力,更使得磁易軸轉換的鈷厚度得到提升,確切地顯示出銀薄膜能使得石墨烯/鈷/銥(111)系統的垂直異向性得到增強。本研究中覆蓋銀的方式有兩種,其一是直接在石墨烯/鈷/銥(111)上直接蒸鍍銀薄膜,另一種先製備鈷/銀/石墨烯/銥(111)系統後,再以熱退火的方式使其變成銀/石墨烯/鈷/銥(111)系統。兩種製備方式所量測出的磁滯曲線大有不同,後者能得出較為方正的磁滯曲線。但不論是何者皆顯示銀覆蓋層能使石墨烯/鈷/銥系統的磁易軸更加穩固在極向方向的作用。另外本碩論亦詳細計算出受銀影響前/後的介面異向能數值,這使其在自旋電子元件與磁紀錄媒體的開發上有所助益。此材料不論鈷或銀厚度如何,其各成分元素皆保持穩定的化學態,也即在生產階段可以保持良好品質的薄膜,應用於元件而具有優秀良率。zh_TW
dc.description.sponsorship物理學系zh_TW
dc.identifierG060541017S
dc.identifier.urihttp://etds.lib.ntnu.edu.tw/cgi-bin/gs32/gsweb.cgi?o=dstdcdr&s=id=%22G060541017S%22.&%22.id.&
dc.identifier.urihttp://rportal.lib.ntnu.edu.tw:80/handle/20.500.12235/102518
dc.language中文
dc.subject超薄膜zh_TW
dc.subject磁性zh_TW
dc.subjectzh_TW
dc.subject銥(111)zh_TW
dc.subject石墨烯zh_TW
dc.subjectzh_TW
dc.subject歐傑電子能譜zh_TW
dc.subject磁光柯爾效應zh_TW
dc.title石墨烯/鈷/銥(111)插層結構的磁特性研究zh_TW

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