非接觸式奈米開關的研究-利用掃描式穿隧電流顯微鏡及硫化亞銅薄膜
| dc.contributor | 張秋男 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 吳明福 | zh_TW |
| dc.date.accessioned | 2019-09-04T01:29:33Z | |
| dc.date.available | 2007-7-10 | |
| dc.date.available | 2019-09-04T01:29:33Z | |
| dc.date.issued | 2007 | |
| dc.description.abstract | 本實驗利用電解方法將Cu薄膜表面硫化形成Cu2S薄膜，製作出(Cu2S/Cu /Si wafer) 雙層薄膜的結構。藉由STM探針針尖的穿隧電流與Cu2S 薄膜之間發生電化學反應，使在Cu2S 薄膜中銅離子會產生氧化與還原變化，而使穿隧電流產生開｢1｣和關｢0｣的動作。本論文將此開關的特性測出來並加以討論。 我們發現在50nm的針尖上施加正負0.5 V時，電解 4 分鐘條件所製成的Cu2S薄膜銅離子完全”完全”還原及氧化的反應時間最快；”完全”還原之反應時間為1.12 s，所測量電流值為- 52 nA，銅”完全”氧化之反應時間為1.18 s，所測量電流值為 0 nA。 | zh_TW |
| dc.description.sponsorship | 光電科技研究所 | zh_TW |
| dc.identifier | GN0693480063 | |
| dc.identifier.uri | http://etds.lib.ntnu.edu.tw/cgi-bin/gs32/gsweb.cgi?o=dstdcdr&s=id=%22GN0693480063%22.&%22.id.& | |
| dc.identifier.uri | http://rportal.lib.ntnu.edu.tw:80/handle/20.500.12235/98118 | |
| dc.language | 中文 | |
| dc.subject | 掃描式穿隧電流顯微鏡 | zh_TW |
| dc.subject | 硫化亞銅薄膜 | zh_TW |
| dc.title | 非接觸式奈米開關的研究-利用掃描式穿隧電流顯微鏡及硫化亞銅薄膜 | zh_TW |
| dc.title | Non-contact nanometer-scale switch using scanning tunneling microscopy and copper sulfide film | en_US |
Files
Original bundle
1 - 5 of 5
No Thumbnail Available
- Name:
- n069348006301.pdf
- Size:
- 348.04 KB
- Format:
- Adobe Portable Document Format
No Thumbnail Available
- Name:
- n069348006302.pdf
- Size:
- 257.8 KB
- Format:
- Adobe Portable Document Format
No Thumbnail Available
- Name:
- n069348006303.pdf
- Size:
- 874.9 KB
- Format:
- Adobe Portable Document Format
No Thumbnail Available
- Name:
- n069348006304.pdf
- Size:
- 664.08 KB
- Format:
- Adobe Portable Document Format
No Thumbnail Available
- Name:
- n069348006305.pdf
- Size:
- 80.25 KB
- Format:
- Adobe Portable Document Format