石墨烯插層對Co/Cu薄膜的磁特性影響研究
| dc.contributor | 蔡志申 | zh_TW |
| dc.contributor | Tsay, Jyh-Shen | en_US |
| dc.contributor.author | 張育杰 | zh_TW |
| dc.contributor.author | Chang, Yu-Chien | en_US |
| dc.date.accessioned | 2019-09-05T02:10:09Z | |
| dc.date.available | 不公開 | |
| dc.date.available | 2019-09-05T02:10:09Z | |
| dc.date.issued | 2016 | |
| dc.description.abstract | 本研究在水溶液環境中利用電化學的方式成長Co薄膜在Cu(100)及graphene /Cu上並進行磁性量測，再加入紫精酸的異質介面，研究Co薄膜在不同的介面對磁特性的影響，其中使用循環伏安法量測其成分組成，並使用磁光柯爾效應進行磁性量測。發現5至20 nm的Co薄膜在Cu(100)及graphene/Cu表面上成長，隨著厚度上升皆表現出縱向方向為磁化易軸，接著進一步分析縱向的磁滯曲線可以得到其飽和磁化量、殘磁、方正度以及矯頑力。Co/Cu(100)於不同電位測量時，其飽和磁化量、殘磁、矯頑力並無明顯的變化，而Co/graphene/Cu上則在特定的厚度會產生雙磁滯曲線疊加的現象，並且隨著電位可以控制其磁特性，比較石墨烯插層對Co/Cu薄膜的矯頑力影響，發現在任何電位下Co/Cu(100)薄膜的矯頑力皆大於Co/graphene /Cu薄膜。而後在Co/Cu(100)上覆蓋紫精酸會使得較薄的Co膜其飽和磁化量與殘磁下降且矯頑力上升，但是至12 nm以上時便不受影響，然而Co/grap hene/Cu於不同電位測量時，覆蓋紫精酸並無明顯變化。此研究發現在紫精酸及石墨烯之異質介面對Co薄膜受電位控制時的磁特性有微小的變化，對於開發電控制磁性元件附有應用潛力。 | zh_TW |
| dc.description.sponsorship | 物理學系 | zh_TW |
| dc.identifier | G060341040S | |
| dc.identifier.uri | http://etds.lib.ntnu.edu.tw/cgi-bin/gs32/gsweb.cgi?o=dstdcdr&s=id=%22G060341040S%22.&%22.id.& | |
| dc.identifier.uri | http://rportal.lib.ntnu.edu.tw:80/handle/20.500.12235/102496 | |
| dc.language | 中文 | |
| dc.subject | 石墨烯 | zh_TW |
| dc.subject | 磁光柯爾效應 | zh_TW |
| dc.subject | 電鍍 | zh_TW |
| dc.subject | 鈷 | zh_TW |
| dc.subject | 銅(100) | zh_TW |
| dc.subject | 循環伏安法 | zh_TW |
| dc.subject | Graphene | en_US |
| dc.subject | Copper(100) | en_US |
| dc.subject | Cobalt | en_US |
| dc.subject | electrodeposition | en_US |
| dc.subject | MOKE | en_US |
| dc.subject | CV | en_US |
| dc.title | 石墨烯插層對Co/Cu薄膜的磁特性影響研究 | zh_TW |