KrF準分子雷射LIGA製程用厚膜光阻劑之合成與應用(III)
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Date
2002-07-31
Authors
李育德
楊啟榮
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Abstract
微機電系統(MEMS)應用技術中，LIGA製程技術日益受到重視。在LIGA技術中第一個步驟也是整個程序中最重要的步驟是光刻製程。目前LIGA技術中的光深刻術(反應性離子蝕刻除外)所面臨的最大挑戰是在於高分子厚膜光阻材料的準備，這是LIGA技術中急需解決的問題。許多的研究結果指出 Kapton在KrF準分子雷射下可以得到不錯的光刻結構品質，因此聚醯亞胺有潛力作為Laser-LIGA製程中的厚膜光阻材料。但是一般常見的聚醯亞胺(如Kapton)的溶解性極差，可以說是幾乎不溶於任何的溶劑，因此有難以將聚醯亞胺去除的問題，限制了聚醯亞胺在Laser-LIGA上的應用。 Harris等人則發展了許多有機可溶的聚醯亞胺，他們歸納出有機可溶聚醯亞胺分子結構需要具備以下特徵：(1)在分子主鏈上引入巨大或非極性的分子團。(2)主鏈上含有柔軟或非對稱性的結構。(3)經由共聚合反應而破壞規律或對稱性的分子結構。本研究成功地合成出可耐電鑄時嚴苛環境的聚醯亞胺厚膜光阻，且利用所合成出的聚醯亞胺厚膜光阻製作出最小線寬為10微米最大深寬比為30的微結構。