非線性光學鈮酸鋰晶體摻雜不同濃度氧化鐵之介電頻譜研究

dc.contributor陳瑞虹zh_TW
dc.contributor.author吳建毅zh_TW
dc.date.accessioned2019-09-05T02:07:25Z
dc.date.available2005-7-1
dc.date.available2019-09-05T02:07:25Z
dc.date.issued2005
dc.description.abstract本實驗是使用HP4194A阻抗分析儀,在溫度範圍為423~973K和頻率範圍為100~40MHz的外加交流電作用下,沿著摻雜不同濃度氧化鐵的鈮酸鋰晶體c軸量測其阻抗值。將實驗所測得阻抗數據,換算出該晶體相對應的電阻率、導電率、介電常數以及electric modulus等參數,並由電阻率、介電常數的Cole-Cole plot以及上述各參數對頻率圖,可以模擬出該晶體受外加交流電作用時所對應的等效電路,以便分析和解釋該晶體隨外加交流電頻率和溫度變化的介電特性。同時,本實驗也比較摻雜不同氧化鐵濃度對該晶體介電特性的影響,並利用摻雜雜質進入鈮酸鋰的空缺模型解釋之。 由Cole-Cole plot以及上述電阻率、導電率、介電常數、electric modulus對頻率圖,發現摻雜不同濃度氧化鐵的鈮酸鋰晶體,在外加交流電作用下,同時存在有導電離子的移動和電偶極的極化。在較低溫環境下(423~723K),導電離子貢獻發生於較低頻區域,而電偶極貢獻則發生於較高頻區域,此時該晶體可等效於單一導電弛豫加單一介電弛豫電路;在較高溫環境下(723~973K),導電離子貢獻會增大,而電偶極貢獻相對於導電離子貢獻較不明顯,此時該晶體可等效於單一導電弛豫電路。 另外,由導電率和介電常數對摻雜氧化鐵濃度圖,發現當所摻雜氧化鐵濃度低於0.046mol%時,因為鐵離子可能取代鋰離子,該晶體內部空缺數目可能隨濃度增加而增加,但當濃度高於0.046mol%時,該晶體內部空缺數目可能隨濃度增加而減少。zh_TW
dc.description.sponsorship物理學系zh_TW
dc.identifierG0069241027
dc.identifier.urihttp://etds.lib.ntnu.edu.tw/cgi-bin/gs32/gsweb.cgi?o=dstdcdr&s=id=%22G0069241027%22.&%22.id.&
dc.identifier.urihttp://rportal.lib.ntnu.edu.tw:80/handle/20.500.12235/102399
dc.language中文
dc.subject鈮酸鋰zh_TW
dc.subject摻雜氧化鐵zh_TW
dc.subject介電頻譜zh_TW
dc.title非線性光學鈮酸鋰晶體摻雜不同濃度氧化鐵之介電頻譜研究zh_TW

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