鎳超薄膜在銀(√3×√3)矽(111)上之磁性研究

dc.contributor蔡志申zh_TW
dc.contributorTsay, Jyh-Shenen_US
dc.contributor.author江秉翰zh_TW
dc.contributor.authorJiang, Bin-Hanen_US
dc.date.accessioned2019-09-05T02:09:20Z
dc.date.available2020-12-30
dc.date.available2019-09-05T02:09:20Z
dc.date.issued2018
dc.description.abstract本實驗對不同厚度的Ni/√3×√3-Ag/Si(111)直接升溫,做成分及磁性的分析,發現在特定溫度範圍內會形成穩定態,且隨著Ni厚度增加,形成穩定態的發生溫度會延後,推測熱穩定度隨著Ni的厚度增加而提高。接著我們分別對12 ML Ni/√3×√3-Ag/Si(111)做直接升溫及間接升溫的比較,間接升溫較直接升溫延後200 K消磁,可知直接升溫有提高200 K之物理影響。再來有兩種製程,第一種是直接13及15 ML Ni/√3×√3-Ag/Si(111)上成長Ag,第二種是先將13及15 ML Ni/√3×√3-Ag/Si(111)間接升溫至550 K後才成長Ag,我們發現飽和磁化量及殘磁幾乎不隨著Ag厚度增加而改變,而第一種製程矯頑力不隨之改變,其原因為未先升 溫Ni排列不整齊,故蓋Ag不會增加表面缺陷,不會使矯頑力上升;但第二種製程隨著上層蓋Ag厚度增加,矯頑力會增加,其原因為先升溫可使上層Ni排列較整齊,蓋Ag會使表面缺陷增加,故矯頑力會上升。最後我們將所有樣品間接升溫,發現隨著退火溫度上升,飽和磁化量及殘磁在600 K前幾乎不變,其原因為上層蓋Ag會保護Ni/√3×√3-Ag/Si(111)使之結構不易被破壞;而溫度達550 K以上時,我們發現15 ML樣品的矯頑力會上升且出現峰值,推測此時Ni大量向上層Ag擴散導致樣品缺陷增加,使矯頑力最大。zh_TW
dc.description.sponsorship物理學系zh_TW
dc.identifierG060241031S
dc.identifier.urihttp://etds.lib.ntnu.edu.tw/cgi-bin/gs32/gsweb.cgi?o=dstdcdr&s=id=%22G060241031S%22.&%22.id.&
dc.identifier.urihttp://rportal.lib.ntnu.edu.tw:80/handle/20.500.12235/102461
dc.language中文
dc.subject鎳超薄膜zh_TW
dc.subject磁性研究zh_TW
dc.subjectNi ultrathin filmsen_US
dc.subjectmagnetic propertiesen_US
dc.title鎳超薄膜在銀(√3×√3)矽(111)上之磁性研究zh_TW
dc.titleInvestigations of magnetic properties of Ni ultrathin films on √3×√3-Ag/Si(111)en_US

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