鎳超薄膜在銀(√3×√3)矽(111)上之磁性研究
dc.contributor | 蔡志申 | zh_TW |
dc.contributor | Tsay, Jyh-Shen | en_US |
dc.contributor.author | 江秉翰 | zh_TW |
dc.contributor.author | Jiang, Bin-Han | en_US |
dc.date.accessioned | 2019-09-05T02:09:20Z | |
dc.date.available | 2020-12-30 | |
dc.date.available | 2019-09-05T02:09:20Z | |
dc.date.issued | 2018 | |
dc.description.abstract | 本實驗對不同厚度的Ni/√3×√3-Ag/Si(111)直接升溫,做成分及磁性的分析,發現在特定溫度範圍內會形成穩定態,且隨著Ni厚度增加,形成穩定態的發生溫度會延後,推測熱穩定度隨著Ni的厚度增加而提高。接著我們分別對12 ML Ni/√3×√3-Ag/Si(111)做直接升溫及間接升溫的比較,間接升溫較直接升溫延後200 K消磁,可知直接升溫有提高200 K之物理影響。再來有兩種製程,第一種是直接13及15 ML Ni/√3×√3-Ag/Si(111)上成長Ag,第二種是先將13及15 ML Ni/√3×√3-Ag/Si(111)間接升溫至550 K後才成長Ag,我們發現飽和磁化量及殘磁幾乎不隨著Ag厚度增加而改變,而第一種製程矯頑力不隨之改變,其原因為未先升 溫Ni排列不整齊,故蓋Ag不會增加表面缺陷,不會使矯頑力上升;但第二種製程隨著上層蓋Ag厚度增加,矯頑力會增加,其原因為先升溫可使上層Ni排列較整齊,蓋Ag會使表面缺陷增加,故矯頑力會上升。最後我們將所有樣品間接升溫,發現隨著退火溫度上升,飽和磁化量及殘磁在600 K前幾乎不變,其原因為上層蓋Ag會保護Ni/√3×√3-Ag/Si(111)使之結構不易被破壞;而溫度達550 K以上時,我們發現15 ML樣品的矯頑力會上升且出現峰值,推測此時Ni大量向上層Ag擴散導致樣品缺陷增加,使矯頑力最大。 | zh_TW |
dc.description.sponsorship | 物理學系 | zh_TW |
dc.identifier | G060241031S | |
dc.identifier.uri | http://etds.lib.ntnu.edu.tw/cgi-bin/gs32/gsweb.cgi?o=dstdcdr&s=id=%22G060241031S%22.&%22.id.& | |
dc.identifier.uri | http://rportal.lib.ntnu.edu.tw:80/handle/20.500.12235/102461 | |
dc.language | 中文 | |
dc.subject | 鎳超薄膜 | zh_TW |
dc.subject | 磁性研究 | zh_TW |
dc.subject | Ni ultrathin films | en_US |
dc.subject | magnetic properties | en_US |
dc.title | 鎳超薄膜在銀(√3×√3)矽(111)上之磁性研究 | zh_TW |
dc.title | Investigations of magnetic properties of Ni ultrathin films on √3×√3-Ag/Si(111) | en_US |