整合光輔助電化學蝕刻與微電鑄技術應用於高密度垂直金屬微柱狀陣列之研製

Abstract

本研究計畫整合光輔助電化學蝕刻(Photo Assisted Electro-Chemical Etching, PAECE)與精密電鑄(Electroforming)技術，以開發高密度金屬垂直結構陣列之製程技術。利用改變光照強度與電流密度等實驗條件，以電化學蝕刻達到矽晶圓高密度微穿孔的目的，再利用精密電鑄技術進行穿孔之金屬導體填充，如此可實現高密度金屬垂直結構陣列。未來可應用於積體化探針陣列之製作，或利用晶圓內垂直導體而實現晶圓級堆疊封裝之目的。此技術開發有設備與製程成本低、可積體化生產、與半導體製程相容性高、批次生產與良率高等特點。