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Title: ZnO-SiO2一維光子晶體共振器之之製作與特性研究
Authors: 洪姮娥
楊謝樂
楊璧華
Keywords: 一維光子晶體
紫外光
氧化鋅
Issue Date: 2006
Abstract: 本實驗以射頻磁控濺鍍法(Radio Frequency magnetron sputtering)在玻璃基板上交錯濺鍍ZnO及SiO2薄膜形成一維光子晶體,藉由考慮ZnO及SiO2的折射率,設計適合的薄膜厚度及週期數使得該一維光子晶體在500 nm到600 nm產生所謂的光譜帶隙(Photonic band gap)。而且,由於ZnO及SiO2在可見光的透明度極高,若在光子晶體的中心處再加入一層ZnO,則可形成一個可見光的一維光子晶體共振器。 本實驗研究發現,ZnO的折射率在UV光的照射下,可隨UV光的照射強度產生規律的變化,且呈現可逆行為,即當UV光移除時,ZnO的折射率將恢復到未加UV光時的折射率(2.032),此結果表示ZnO-SiO2一維光子晶體共振器,可利用外加UV光照射強度的不同,達到共振波長可調性之目的。 另外,我們製作ITO-SiO2一維光子晶體共振器,在中心處加入不同厚度的ZnO缺陷層,觀察其穿透頻譜,發現增加ZnO缺陷層的厚度,光子晶體共振器的共振波長有往長波段偏移的現象。
URI: http://etds.lib.ntnu.edu.tw/cgi-bin/gs32/gsweb.cgi?o=dstdcdr&s=%22http://etds.lib.ntnu.edu.tw/cgi-bin/gs32/gsweb.cgi?o=dstdcdr&s=id=%22GN0693480087%22.&%22.id.&
http://rportal.lib.ntnu.edu.tw:80/handle/20.500.12235/98120
Other Identifiers: GN0693480087
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