光電工程研究所

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本所於民國91年成立碩士班，94年成立博士班。本所成立之宗旨及教育目標在於培育符合社會所需的光電科技專業人才，本所發展目標在於實現學界對於國內產業的關懷與參與之願景，並朝向「產業知識化、知識產業化」的發展趨勢與需求邁進。近年來，本校已轉型為綜合研究型大學，依據校務整體發展計畫與本所發展策略規劃之需求，將能提供本所未來發展之參考與願景。

本所研究方向 ：
一、光電材料與元件模組
二、奈米生醫及醫學影像

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Subject: search.filters.subject.Hafnium-based Oxides

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    鐵電氧化鉿鋯記憶體特性及其應用
    (2018) 洪若純; Hong, Ruo-Chun
    近幾年來，鐵電材料已經被廣泛的使用，其應用在鐵電材料記憶體(Ferroelectric Random-Access Memory, FeRAM)上最多，因此被當成新興技術之非揮發性記憶體之一。鐵電閘極場效式電晶體(Ferroelectric Field Effect Transistor, FeFET)具有許多優點，如讀寫速度快、操作電壓低…等特性。雖然有著眾多優點但在過去，傳統鈣鈦礦鐵電材料，如Pb (ZrxTi1-x) O3 (PZT)和BaTiO3 (BTO)等有機材料一直無法直接整合於現今CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)技術上。經過多年研究發現若是使用二氧化鉿為基底，既能展現出鐵電材料之特性，又是能使用在CMOS技術上的高介電係數材料。 本研究將主題分為三個部分，第一部分為探討鐵電Hf1-xZrxO2場效應電晶體與鰭式電晶體，兩者在高數據保持率(Retention)和讀取耐久性(Endurance)的結果與差異；第二部分為在具有鐵電層的元件上，使用各種方式施加偏壓使鐵電極化翻轉，量測出穿隧現象；第三部分為利用具有鐵電特性元件，透過不同波型模組設定做深度學習觀察其差異及變化。
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    氧化鉿鋯二極體與場效電晶體之記憶體應用
    (2017) 陳宣翰; Chen, Hsuan-Han
    具有鐵電效應的新鐵電材料－鉿基氧化物(Hafnium-based Oxides)，這幾年除了研究討論度相當高之外，應用面也是相當的廣，例如其鐵電負電容特性，藉由突破次臨界擺幅的物理極限60mV/dec，降低了操作電壓VDD，間接降低了元件的耗能，達到低功耗的目的。又例如藉由鐵電特性，使電流-電壓曲線具有遲滯現象，使之可以應用在1T記憶體上面，也可以製作成MIM結構應用在1T-1C記憶體中，而且鉿基氧化物與矽基板相容性高，可以整合在現有的CMOS半導體製程上。本研究將針對於應用在鐵電記憶體上，使用Hf1-xZrxO2作為鐵電層，藉著不同物理厚度、不同摻雜比例，以及退火溫度等條件，探討分析其在記憶體應用方面的表現。 關鍵字：鉿基氧化物、負電容電晶體、次臨界擺幅、金屬-鐵電層-金屬結構、鐵電電晶體。