理學院

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學院概況

理學院設有數學系、物理學系、化學系、生命科學系、地球科學系、資訊工程學系6個系(均含學士、碩士及博士課程),及科學教育研究所、環境教育研究所、光電科技研究所及海洋環境科技就所4個獨立研究所,另設有生物多樣性國際研究生博士學位學程。全學院專任教師約180人,陣容十分堅強,無論師資、學術長現、社會貢獻與影響力均居全國之首。

特色

理學院位在國立臺灣師範大學分部校區內,座落於臺北市公館,佔地約10公頃,是個小而美的校園,內含國際會議廳、圖書館、實驗室、天文臺等完善設施。

理學院創院已逾六十年,在此堅固基礎上,理學院不僅在基礎科學上有豐碩的表現,更在臺灣許多研究中獨占鰲頭,曾孕育出五位中研院院士。近年來,更致力於跨領域研究,並在應用科技上加強與業界合作,院內教師每年均取得多項專利,所開發之商品廣泛應用於醫、藥、化妝品、食品加工業、農業、環保、資訊、教育產業及日常生活中。

在科學教育研究上,臺灣師大理學院之排名更高居世界第一,此外更有獨步全臺的科學教育中心,該中心就中學科學課程、科學教與學等方面從事研究與推廣服務;是全國人力最充足,設備最完善,具有良好服務品質的中心。

在理學院紮實、多元的研究基礎下,學生可依其性向、興趣做出寬廣之選擇,無論對其未來進入學術研究領域、教育界或工業界工作,均是絕佳選擇。

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    渦旋光對低維度材料與磁性薄膜異質結構之光電響應增益探討
    (2024) 林士傑; Lin, Shih-Chieh
    本研究將藉由將拉蓋爾-高斯(Laguerre-Gaussian, LG)光束照射在磁性材料與低維度材料的異質結構上,以探討帶有軌道角動量的渦旋光對其所產生的效應。由於LG光束具有特殊的電場分佈,藉由理論推測可能會與材料表面的電子海進行交互作用進而產生環形電流及垂直磁場。在材料的選擇上我們使用鈷作為鐵磁性材料,而低維度材料是選用具有相近能隙的半導體材料:MoS2及C60來進行探討。首先我們探討Co與MoS2的異質結構,由於在先前的研究中發現在Co/MoS2系統中鈷原子會使MoS2具有特殊的磁各異向性,提供了Co/MoS2異質結構與LG光束間交互作用的可能性。再來我們試著於鈷薄膜中摻入C60薄膜,由先前的研究指出Co與C60會有電子交換行為使得C60會帶有磁性,因此我們便以Co/C60/Co/MoS2異質結構來探討此結構與Co/MoS2異質結構間的差異,進一步研究鐵磁薄膜與低維度材料異質結構對LG光束的響應。最後,我們試著改變鐵磁材料與低維度材料的結構,由層狀堆疊改為合金的結構,探討Co-C60合金薄膜對渦旋光間的響應。研究結果顯示在二硫化鉬上透過蒸鍍法鍍上一層鈷薄膜後,會使得該元件對LG光的光電響應更為明顯;另外在Co/C60/Co/MoS2異質結構上發現在鈷薄膜中摻入C60薄膜的多層堆疊結構有著更顯著的光電響應,並且對LG光束也有著更強的反應。另外,在Co-C60合金的實驗中發現,對其照射渦旋光時此合金薄膜的阻值會隨著軌道角動量增加而上升。在物理機制的探討中,我們藉由從電子自旋的疊加態分佈,去探討LG光束所造成的外加磁場對光電響應的影響。
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    鐵在鍺(111)-c(2×8)及銀/鍺(111)-(√3×√3) 表面上隨溫度衍化的行為
    (2012) 周明寬
    在室溫下蒸鍍少量鐵原子於鍺(111)-c(2×8)上,並進行一連串加熱退火的實驗,以穿隧掃描顯微鏡對其形貌進行觀測。從STM的影像圖和對表面上原子島的體積分析,顯示隨著加熱退火溫度的提升,鐵會在鍺基底上造成缺陷與破洞,藉以拉出鍺進行合金使體積增加,並形成數種不同形貌的島嶼。最終當加熱退火溫度達到840K以上後,表面上的原子團會聚集成數種巨大的原子島。 再來將銀蒸鍍至鍺(111)-c(2×8)表面上,將其加熱退火使樣品表面重構為銀/鍺(111)-(√3×√3)後,蒸鍍少量鐵再度進行加熱退火的實驗。與鐵鍺系統的實驗結果比較後發現,銀能夠保護基底上不會出現缺陷,但仍無法阻止鐵在加熱退火溫度升高後從基底拉出鍺進行合金。於鐵銀鍺系統中發現的原子島種類和鐵鍺系統中大致相同,但鐵銀鍺系統中出現新種類的島和一些跡象顯示銀對於鐵鍺合金的成長仍有影響力。
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    矽烯與鐵在半導體表面上成長的研究
    (2016) 許宏彰; Hsu, Hung-Chang
    無中文摘要
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    非等方性半導體奈米粒子的製備、性質探討及其在生化與光電上之應用(I)光子晶體的化學製備與應用(II)
    (行政院國家科學委員會, 2002-07-31) 陳家俊
    Close packed 3-dimensional (3D) arrays of silica spheres assembled on an indium tin oxide (ITO) substrate surface have been prepared using sedimentation in the solution. Both galvanostatical and potentiostatical electrochemical depositions have been tested to infiltrate six different semiconductors, ZnSe, PbSe, CdSe, CdS, CdTe and GaAs, onto the 3D silica arrays. The detailed studies of deposition parameters such as current density, deposition time, concentrations of electrolytes, solvents and temperatures were performed to ensure the quality of resulting semiconductor films on the arrays. Following by the removal of the silica arrays, 3D macroporous structures made from those semiconductors were obtained and the structures exhibited 3D periodicity and uniformity. Clear diffraction peaks at ~1350 nm of CdSe and CdS macroporous films were observed.