理學院

Permanent URI for this communityhttp://rportal.lib.ntnu.edu.tw/handle/20.500.12235/3

學院概況

理學院設有數學系、物理學系、化學系、生命科學系、地球科學系、資訊工程學系6個系(均含學士、碩士及博士課程),及科學教育研究所、環境教育研究所、光電科技研究所及海洋環境科技就所4個獨立研究所,另設有生物多樣性國際研究生博士學位學程。全學院專任教師約180人,陣容十分堅強,無論師資、學術長現、社會貢獻與影響力均居全國之首。

特色

理學院位在國立臺灣師範大學分部校區內,座落於臺北市公館,佔地約10公頃,是個小而美的校園,內含國際會議廳、圖書館、實驗室、天文臺等完善設施。

理學院創院已逾六十年,在此堅固基礎上,理學院不僅在基礎科學上有豐碩的表現,更在臺灣許多研究中獨占鰲頭,曾孕育出五位中研院院士。近年來,更致力於跨領域研究,並在應用科技上加強與業界合作,院內教師每年均取得多項專利,所開發之商品廣泛應用於醫、藥、化妝品、食品加工業、農業、環保、資訊、教育產業及日常生活中。

在科學教育研究上,臺灣師大理學院之排名更高居世界第一,此外更有獨步全臺的科學教育中心,該中心就中學科學課程、科學教與學等方面從事研究與推廣服務;是全國人力最充足,設備最完善,具有良好服務品質的中心。

在理學院紮實、多元的研究基礎下,學生可依其性向、興趣做出寬廣之選擇,無論對其未來進入學術研究領域、教育界或工業界工作,均是絕佳選擇。

Browse

Search Results

Now showing 1 - 3 of 3
  • Item
    靜電轉印二維層狀材料技術開發
    (2023) 楊志賢; Yang, Jhih-Sian
    過渡金屬二硫屬化物(TMDs)是MX2類型的半導體材料,其特點包含:高載流子遷移率、在單層的時候具有直接能隙、製作成場效電晶體的時候具有極高的電流開關比;但是此類材料為了避免超出電子元件的熱預算,因此會事先長在藍寶石基板之上,再利用轉印的方式轉印到目標基板加以應用,但是現今藍寶石基板的轉印方法皆需要使用到有機聚合物支撐層,而有機聚合物並無法被完全的去除,殘存下來的有機聚合物會對材料的電性表現產生影響,因此本研究致力於發展不需要有機聚合物支撐層之轉印方法來避免掉殘留的有機聚合物對元件性能造成影響。本實驗藉由生長OTS-SAM膜在矽基板之上,來提升累積電荷的能力,以此達成純物理吸附的方式來轉印二維層狀材料至矽基板之上,此轉印過程皆無使用有機聚合物,因此可以達到乾淨的二維材料表面,由AFM圖像也可證明使用靜電轉印法之MoS2粗糙度明顯低於PMMA轉印法;另外由場效電晶體的遲滯大小可以看出,使用靜電轉印方法的遲滯明顯較低,代表靜電轉印的MoS2表面殘留物確實較少。
  • Item
    鈣鈦礦與磁性金屬、二硫化鉬之介面特性分析
    (2022) 林子恩; Lin, Zih-En
    鈣鈦礦為新興太陽能電池材料,並且近年已有許多研究報導其光電性質[1,2],但少有提及表面形貌。在先前研究中我們發現鈣鈦礦MAPbBr3無法在鐵鈀合金表面形成均勻且連續的薄膜,會呈現奈米柱狀結構並且有裸露的合金金屬層[9]。在本實驗中,我們發現以石墨烯層插層於鈣鈦礦與鐵磁層之間可使鈣鈦礦形成均勻連續薄膜。由原子力顯微鏡 (AFM) 剖面圖可觀察到:在鐵磁層表面粗糙度小於1 nm,在轉移石墨烯後約有 2 nm,在旋塗鈣鈦礦之後約有6 nm。在AFM形貌圖以及剖面圖可以看出鈣鈦礦於石墨烯上形成連續薄膜。此技術應用於元件製成可防止鈣鈦礦與金屬層的層間短路,使元件正常運作。二硫化鉬具有良好的載子遷移率,可作半導體材料,但仍有光吸收率相對不高的缺點[3]。鈣鈦礦/二硫化鉬異質結構具有較高光吸收率。但雖有許多關於鈣鈦礦/二硫化鉬結構光電性質的文章[4,5],但對於鈣鈦礦在二硫化鉬上表面形貌的研究仍然缺乏。將鈣鈦礦旋塗於二硫化鉬上之後,在AFM形貌圖仍可分辨二硫化鉬的形狀,並且可見在二硫化鉬上的鈣鈦礦較基板上的緻密。在SEM圖的分析中,在二硫化鉬上的鈣鈦礦粒徑約在20 nm,在基板上約在30 nm。旋塗鈣鈦礦會造成二硫化鉬光致發光 (PL) 峰值的猝滅,並且造成峰值紅移。依文獻報導猝滅是因為鈣鈦礦到二硫化鉬的電荷轉移,紅移是因為二硫化鉬上量子點的n型摻雜效應[4]。形狀會影響二硫化鉬PL峰值。在旋塗鈣鈦礦後,缺角三角形二硫化鉬的PL峰值較三角形位移多,在3 ~12 nm區間,三角形的位移則在3 nm以內。在旋塗鈣鈦礦之後量測鈣鈦礦PL峰值位置,缺角三角形上的鈣鈦礦PL峰值比起三角形二硫化鉬藍移3 ~ 5 nm。文獻[52]中提及鈣鈦礦顆粒大小會影響PL峰值高低,我們推測可能由於三角形與缺角三角形上鈣鈦礦顆粒大小差異而影響PL峰值,但仍需進一步實驗確認。以450 nm藍光雷射照射鈣鈦礦/二硫化鉬結構,其中二硫化鉬從單層至6層,發現二硫化鉬PL峰值幾乎沒有變化,但峰值強度有減少的現象。
  • Item
    層狀二硫化鉬的偏振解析拉曼光譜研究
    (2021) 姜昱帆; Chiang, Yu-Fan
    偏振拉曼光譜已被廣泛應用於許多二維材料,包括石墨烯和過渡金屬硫化物,特別是使用線偏振光和圓偏振光為激發光。通過計算不同材料受不同偏振入射光影響的拉曼張量,我們可以得知聲子振動模式是如何表現其偏振態。在這項工作中,單層二硫化鉬被轉移到擁有不同厚度之二氧化矽的矽基板上,以測量偏振拉曼光譜。結果顯示,當被線偏振的入射光激發時,單層二硫化鉬的面內振動(E^')和面外振動(A_1^')模式分別表現出各向同性和線偏振的散射光。同時,當使用圓偏振光作為激發光時,E^'和A_1^'模態則分別表現出旋向交換(helicity-exchange)和旋向守恆(helicity-conserve)的行為。 更重要的是,實驗結果發現單層二硫化鉬的E^'和 A_1^'振動模式在位於純矽基板上時出現與理論模型相異的情形。我們引入了一個強度偏移量來解釋二硫化鉬的聲子與基板之間的耦合效應。此外,還引用了一些與電子-聲子耦合如何影響拉曼強度的偏振態有關的論文,去解釋這種奇特的現象,深入探討層狀二維材料的聲子與光子之間的交互作用,以期提供未來先進材料應用更多重要的基礎與應用。