理學院

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學院概況

理學院設有數學系、物理學系、化學系、生命科學系、地球科學系、資訊工程學系6個系(均含學士、碩士及博士課程),及科學教育研究所、環境教育研究所、光電科技研究所及海洋環境科技就所4個獨立研究所,另設有生物多樣性國際研究生博士學位學程。全學院專任教師約180人,陣容十分堅強,無論師資、學術長現、社會貢獻與影響力均居全國之首。

特色

理學院位在國立臺灣師範大學分部校區內,座落於臺北市公館,佔地約10公頃,是個小而美的校園,內含國際會議廳、圖書館、實驗室、天文臺等完善設施。

理學院創院已逾六十年,在此堅固基礎上,理學院不僅在基礎科學上有豐碩的表現,更在臺灣許多研究中獨占鰲頭,曾孕育出五位中研院院士。近年來,更致力於跨領域研究,並在應用科技上加強與業界合作,院內教師每年均取得多項專利,所開發之商品廣泛應用於醫、藥、化妝品、食品加工業、農業、環保、資訊、教育產業及日常生活中。

在科學教育研究上,臺灣師大理學院之排名更高居世界第一,此外更有獨步全臺的科學教育中心,該中心就中學科學課程、科學教與學等方面從事研究與推廣服務;是全國人力最充足,設備最完善,具有良好服務品質的中心。

在理學院紮實、多元的研究基礎下,學生可依其性向、興趣做出寬廣之選擇,無論對其未來進入學術研究領域、教育界或工業界工作,均是絕佳選擇。

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    石墨烯應用於深紫外光發光二極體上作為透明電流擴散層
    (2016) 蕭長泰; Hisao, Chang-Tai
    石墨烯(graphene)為一種由碳原子依六角形排列而成之二維碳材料,其具有良好之電子遷移率、熱傳導度、機械特性與低片電阻等特性,而其於波長小於280奈米之高穿透度更被看好應用於深紫外光發光二極體(GaNLED)之上作為透明電流擴散層(TCE)。然而,石墨烯和GaN(特別是p-GaN)之間的高接觸電阻率(ρc)成為利用石墨烯作為GaNLED的透明電流擴散層需要解決的重大困難。 為了降低石墨烯和GaN介面的接觸電阻率,在本實驗中,我們準備了兩種類型的緩衝層包括氧化鎳(NiO)薄膜和銦錫氧化物(ITO)量子點放置於石墨烯和GaN之間,藉以增進石墨烯和GaN之附著力,並降低其介面的蕭特基能障。本實驗乃利用低壓化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition;CVD)方法製作石墨烯,p-GaN磊晶則由晶元光電所提供。其中厚度為2 nm之氧化鎳乃利用原子層化學氣相沉積法(Atomic Layer Deposition;ALD)將其沉積於石墨烯與p-GaN之間,另一緩衝層為於石墨烯與p-GaN間鍍層銦錫氧化物薄膜經蝕刻過後使之成為量子點銦錫氧化物。置入緩衝層後再以450°C氬氣環境下熱退火處理以加強結構完整性,最後利用圓形傳輸線模型(circular transmission line model;CTLM)與發光二極體元件量測其特性與電性。