物理學系

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本系師資陣容堅強,現有教授15人、副教授12人、助理教授2人、名譽教授5人,每年國科會補助之專題研究計畫超過廿個,補助之經費每年約三千萬,研究成果耀眼,發表於國際著名期刊(SCI)的論文數每年約70篇。

近年來已在課程方面 著手變革,因應學子的各種不同的生涯規劃與需求,加強職業輔導與專業能力的提升,增加高科技相關課程,提供光電學程(光電半導體、半導體製程技術、近代光 學與光電科技等)、凝態物理、表面物理與奈米科技、高能與理論物理、生物物理、應用物理等研究發展專業人才,並配合博士逕讀辦法,讓大學部學生最快能在五 年內取的碩士(透過碩士班先修生),八年內取得博士,有助於提升本系基礎與應用研發能量,為各學術研究機構與業界高科技創新與研發人力(包括在光電業、半 導體製造業、電腦週邊產業等)。

本系亦推動網路教學(科學園)與數位科學研究,作為提供科學教學與學習系統平台的強化支援,並除了原先開設的教育學程外,多增強學生英語教學的能力,與世界科學教師系統連結,在教師從業方面,塑造世界級的物理科學教師,發揮教育影響力。

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    矽烯與鐵在半導體表面上成長的研究
    (2016) 許宏彰; Hsu, Hung-Chang
    無中文摘要
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    矽單層在銀薄膜上的表面形貌與能譜分析
    (2016) 蘇泰龍; SU, Tai-Lung
    在文獻中得知可以在單晶金屬表面上成長矽單層結構,在本實驗中Si(111)-(7×7)表面上成長6 ML的Ag(111)薄膜取代單晶銀塊材,然後在成長矽單層結構在銀薄膜上。首先將矽基板經過Flash與熱退火的步驟製成Si(111)-(7×7),然後降至100 K後鍍上6 ML的銀,溫度回到室溫在加熱退火至570 K,等樣品緩慢降至室溫就完成銀薄膜的製備,接著成長矽單層。   要成長矽單層,基底需要維持在500 K以上,在本實驗選擇將銀薄膜維持在550 K,鍍上1 ML的矽,就完成矽單層的製作。在此溫度製備完成的矽單層,可以用STM觀察到四種矽單層結構,分別是4×4、 、兩種 結構,除了結構上再加上STS結果,比較後發現並無差異。   因為基底並非銀塊材,所以用LEED觀察後發現Ag(1×1)會發生錯位,用STM觀察也得到相同的結果,並發現銀薄膜的錯位對矽單層的STS結果並無影響。   但當銀薄膜的厚度不同,會表現不同的特性,在6 ML的銀薄膜上鍍矽可發現矽單層,但在1 ML的銀薄膜上鍍矽卻沒有矽單層,推測鍍上去的矽與銀發生翻轉而往下埋入成為矽基板的一部分,所以6 ML的銀薄膜確實可用來代替銀塊材。
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    矽單層在銀/矽(111)-(1x1)薄膜表面上的成長
    (2015) 吳佳原; WU, Jia-Yuan
    在本實驗中我們利用液態氮將 Si (111)-7×7 基板降至100 K後,再用K-cell 蒸鍍銀原子於表面,經過熱退火後得到平整的銀薄膜。 在該薄膜上我們維持一定的溫度蒸鍍矽原子,藉此成長矽單層。在改變不同溫度下蒸鍍矽原子,我們透過掃描穿隧式顯微鏡發現4種不同結構的矽單層,包括4×4、√13×√13-1、√13×√13-2、2√3×2√3,並且發現 4×4 結構在高溫比較容易出現。而在超過 1 ML 的鍍量實驗中我們發現第二層的矽單層和 2×2 的有序排列。 另外,從低能量電子繞射儀的觀察,發現銀薄膜表面原子排列存在錯位,在這種表面成長矽單層會使得排列方向改變。在排列方向改變的區域存在明顯的邊界或是排列的空缺。