物理學系

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本系師資陣容堅強,現有教授15人、副教授12人、助理教授2人、名譽教授5人,每年國科會補助之專題研究計畫超過廿個,補助之經費每年約三千萬,研究成果耀眼,發表於國際著名期刊(SCI)的論文數每年約70篇。

近年來已在課程方面 著手變革,因應學子的各種不同的生涯規劃與需求,加強職業輔導與專業能力的提升,增加高科技相關課程,提供光電學程(光電半導體、半導體製程技術、近代光 學與光電科技等)、凝態物理、表面物理與奈米科技、高能與理論物理、生物物理、應用物理等研究發展專業人才,並配合博士逕讀辦法,讓大學部學生最快能在五 年內取的碩士(透過碩士班先修生),八年內取得博士,有助於提升本系基礎與應用研發能量,為各學術研究機構與業界高科技創新與研發人力(包括在光電業、半 導體製造業、電腦週邊產業等)。

本系亦推動網路教學(科學園)與數位科學研究,作為提供科學教學與學習系統平台的強化支援,並除了原先開設的教育學程外,多增強學生英語教學的能力,與世界科學教師系統連結,在教師從業方面,塑造世界級的物理科學教師,發揮教育影響力。

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    氧化鈷在11原子鈷層/矽(111)上交換偏移相圖與鈷在銀(√3×√3)/矽(111)之磁性研究
    (2011) 許志榮
    整個論文架構分為三大主題:即「超高真空系統之搬遷與設置」、「y ML CoO/11 ML Co/Si(111)」和「y ML Co/Ag/Si(111)- √3 × √3」之研究。「超高真空系統之搬遷與設置」包括腔體拆解、組裝與表面物理實驗室的規劃以及採取各個步驟和設計流程的原因。在反鐵磁層與鐵磁層「y ML CoO/11 ML Co/Si(111)」研究當y = 5、10、15時,其交換偏移作用是屬於哪一種類型(HE不為零或者Hc變大),實驗的方法是採用「零場冷卻」與「場冷卻」兩種方式來對照,並期許能將實驗結果彙整成交換偏移相圖。「y ML Co/Ag/Si(111)- √3 × √3」先將Ag與Si(111)形成結構為√3 × √3的表面合金,之後再鍍上不同層數的Co膜,以磁光柯爾效應儀研究一系列磁性行為的變化。在反鐵磁層與鐵磁層系統「y ML CoO/11 ML Co/Si(111)」研究結果,在y ≤ 10時,是屬於Hc變大之交換偏移模型,其原因為低層數CoO以奈米顆粒的方式堆積,使得其磁異向性相較外加場來說是比較小,因此會讓柯爾訊號Hc增大。在y ≥ 15時,是屬於HE不為零之交換偏移模型,其原因為高層數CoO在11 ML Co/Si(111)上形成膜,使得其磁異向性相較外加場來說是比較大,因此會讓柯爾訊號HE不為零,最後,彙整交換偏移相圖,交換偏移相圖中分成三個相位,即HE不為零之交換偏移、Hc變大之交換偏移和沒發生交換偏移。「y ML Co/Ag/Si(111)- √3 × √3」研究結果,雖然在y<4.38時沒量測到縱向柯爾訊號,然而從4.38 ≤ y≤10.21之縱向柯爾訊號做線性推斷其通過原點,表示Ag與Si(111)形成Ag/Si(111)- √3 × √3表面合金之後,能有效消除死層,阻止Co與Si(111)形成矽化物。且在4.38≦y≦10.21時,鍍於表面合金Ag/Si(111)- √3 × √3上的Co膜其易磁化軸為水平方向。在其相轉變研究方面,3.65 ML Co/ Ag/Si(111)- √3 × √3 (Ag的殘存量0.48 ML)推估其居里溫度約在275 K到300 K之間,3.51 ML Co/ Ag/Si(111)- √3 × √3系統(其中Ag的殘存量為0.53 ML)中,3.51 ML Co的厚度仍然太薄,3.51 ML Co/ Ag/Si(111)- √3 × √3的居里溫度可以推估小於150 K。
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    以電鍍方法成長Co/Pt(111)薄膜及其磁性研究
    (2015) 郭唯旭; Kuo, Wei-Hsu
    在研究中,使用電化學的方式在水溶液環境中成長Co薄膜在Pt(111)上,透過加入Pb與紫精酸形成完全不同的磁性異質介面,研究Co薄膜受到不同的介面異向能以及不同的量測電位對磁特性的影響,利用循環伏安法(cyclic voltammetry, CV)鑑定成分,並使用磁光柯爾效應(Magneto-optic Kerr effect, MOKE)進行磁特性的量測。 實驗中Co薄膜成長在Pt(111)上並不會形成合金亦不會形成磁性死層,在5 nm 以上時可以穩定存在,不與溶液中的各種離子起化學反應,並且在不同的量測電位可以發現矯頑力會受到電場影響而增強的現象。 在Co/Pt(111)上加入Pb的覆蓋層,發現矯頑力並無明顯變化,推測是Pb只吸附在薄膜上不與Co形成合金態,且並未影響介面結構,導致矯頑力不變。 加入紫精酸則可發現矯頑力受到介面異向能的改變而變化,然而飽和磁化量、殘磁以及方正度均沒有明顯的變化,在不同的電位量測紫精酸對矯頑力的影響,發現紫精酸隨著電位變化,因為各個不同的官能基受到電位影響的能力不同,產生了不同的吸附狀態,使得表面的電子分布不同進而讓表面的鈷原子間自旋或軌道的角動量耦合改變,這樣的現象可近似於表面磁矩間耦合的缺陷增強或減弱而使得矯頑力變化,而這樣的表面現象僅影響薄膜的表面,因此表面特性的貢獻比例會持續隨著膜厚下降,此研究結果發現在此系統中可以利用電位的不同來瞬間控制磁性薄膜的矯頑力變化,極富應用價值。
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    奈米級紅熒烯/鈷薄膜的物理特性研究
    (2019) 周彥維; Jhou, Yan-Wei
    近期可撓式電子產品日益增加,且有機半導體材料具有由於低成本,且易於低溫製程,所以引起了很多關注,其中紅熒烯是具有高載子移動率的有機半導體。本研究中第一部分為紅熒烯奈米級雙層結構研究。X光反射率實驗與擬合,其中紅熒烯薄膜出現雙層模型特性,同時可定出紅熒烯表層的厚度為2.7±0.2奈米,且表層的散射密度長度數值低於下層塊材。紅熒烯厚度增加時,可以觀察到紅熒烯的表面形貌變化,從小顆粒轉變成大顆粒的奈米域(nano domain)。透過X光繞射實驗中,得知紅熒烯薄膜中具有相位分離的分層現象,代表紅熒烯薄膜中具有非單一晶相的奈米域,其中表層具有兩種次要結構,且下層塊材會有另一主要結構。不同厚度下紅熒烯薄膜彈性模量實驗,也可觀察到紅熒烯薄膜具有雙層模型特性趨勢,而後結合雙層模型彈性模量理論進行擬合時,可得知紅熒烯薄膜中表層與下層塊材間彈性模量等。四點探針電性測量時,紅熒烯薄中的雙層性質可用於表現在它的電阻行為,其中觀察到界面粗糙度對傳導電子的傳輸路徑敏感,該訊息對於有機半導體在可撓式面板中的未來應用是具有相當價值。 第二部分的研究為鈷與紅熒烯在矽(100)上形成複合性薄膜的表面與磁性的研究,實驗中嘗試鈷與紅熒烯的比例為1:0.33、1:0.5、1:1。而複合薄膜成長時會傾向層狀方式成長,上層主要為紅熒烯,下層主要為鈷-紅熒烯。當複合薄膜厚度較厚時,其中足夠量的紅熒烯會形成界面活性劑,降低薄膜與矽(100)基板間界面的交互作用,使薄膜表面會非常平坦,且此時樣品的矯頑力較低,當複合薄膜厚度較薄時,表面會有殘留一些鈷的顆粒,薄膜表面較粗糙,其中粗糙的表面代表薄膜中有許多的缺陷,才會使磁化翻轉時矯頑力較大。在鈷與紅熒烯複合薄膜中,當提升紅熒烯薄膜的量時,讓複合薄膜中的鈷與紅熒烯的界面增加,且增加紅熒烯的界面活性劑作用機會,進而提升複合薄膜的品質。 第三部分的研究為紅熒烯插層在鈷/矽(100)的表面與結構對磁性影響的研究。在鈷/矽(100)中會形成奈米鈷晶粒,在插層紅熒烯薄膜之後,紅熒烯會向上層的鈷擴散,讓鈷偏向形成非特殊晶相的膜,並且矯頑力的降低歸因於磁性材料中的缺陷密度下降。而在矯頑力數值附近的鈷/矽(100)柯爾顯微鏡圖像,觀察到在暗圖像中具有一些隨機分佈的缺陷,通過增加外加磁場,缺陷並不會在不同的磁場下移動,並且作為磁域壁運動的釘扎點,通過對鈷/紅熒烯/矽(100)的缺陷密度和矯頑力分析,進而得知樣品中鈷薄膜的磁域會以一維彎曲模型進行磁化翻轉,且缺陷與磁域壁為較強的交互作用。此研究主要透過磁光柯爾顯微鏡直接觀察到薄膜中的缺陷並定量出薄膜中的缺陷密度,如果此技術更加成熟,可以提供給磁性材料一個快速篩檢缺陷的方式。透過紅熒烯界面活性劑效應,改變薄膜中的缺陷,最後影響到薄膜中的磁特性,如果未來能結合薄膜彈性模量的研究,可以提供在可撓式有機磁性面板的開發。
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    鈷,鐵與紅熒烯在銥(111)上的表面結構與磁性研究
    (2017) 江培成; Jiang, Pei-Cheng
    無中文摘要
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    鈷奈米結構的磁性研究
    (2016) 張丞勛; Chang, Cheng-Hsun-Tony
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