物理學系

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本系師資陣容堅強,現有教授15人、副教授12人、助理教授2人、名譽教授5人,每年國科會補助之專題研究計畫超過廿個,補助之經費每年約三千萬,研究成果耀眼,發表於國際著名期刊(SCI)的論文數每年約70篇。

近年來已在課程方面 著手變革,因應學子的各種不同的生涯規劃與需求,加強職業輔導與專業能力的提升,增加高科技相關課程,提供光電學程(光電半導體、半導體製程技術、近代光 學與光電科技等)、凝態物理、表面物理與奈米科技、高能與理論物理、生物物理、應用物理等研究發展專業人才,並配合博士逕讀辦法,讓大學部學生最快能在五 年內取的碩士(透過碩士班先修生),八年內取得博士,有助於提升本系基礎與應用研發能量,為各學術研究機構與業界高科技創新與研發人力(包括在光電業、半 導體製造業、電腦週邊產業等)。

本系亦推動網路教學(科學園)與數位科學研究,作為提供科學教學與學習系統平台的強化支援,並除了原先開設的教育學程外,多增強學生英語教學的能力,與世界科學教師系統連結,在教師從業方面,塑造世界級的物理科學教師,發揮教育影響力。

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    鐵/面心正方錳/鈷在基板銅(100)上,結合磁交換偏耦合和遠程層間磁耦合的磁性與結構研究
    (2011) 王志雄; Chih-Hsiung Wang
    本實驗內容是將Fe/fct-Mn/Co 三層結構以熱蒸鍍的方法將其鍍在銅單Cu(100)上研究此系統的磁交換偏耦合(exchange bias coupling)和遠程層間磁耦合(long range interlayer coupling)現象。 在結構方面,面心正方的鈷(fct-Co)與面心正方的錳(fct-Mn)是利用Low Energy Electron Diffraction (LEED)和I-V LEED 確定其晶格結構。在測量磁性方面,我們利用Magnetic Optical Kerr Effect (MOKE)測得一系列以不同的鐵與錳的厚度的磁滯曲線。 當fct-Mn 厚度增加至24 個原子層,Fe 和Co 的磁矩會經歷過非同調的旋轉(incoherent rotation),造成two-step 的磁滯曲線產生。遠程層間磁耦合(long range interlayer coupling)的影響是傾向鐵和鈷的同調的旋轉(coherent rotation)。但是,Mn/Co 的磁交換偏耦合(exchange bias coupling)會增加鈷的矯頑磁力,同時也破壞到鈷跟鐵的磁矩的同調旋轉機制。結果我們發現當鐵的磁矩正在翻轉時,鈷一開始也跟隨著鐵翻轉,但是到了鐵完成180。翻轉後,鈷又會再次反轉回原始方向。 最後,我們使用磁異向能理論模型(single domain model)以模擬當磁交換偏耦合(exchange bias coupling) 和遠程層間磁耦合(long range interlayer coupling)兩者互相競爭下,所產生的上述磁翻轉機制。
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    鐵超薄膜在白金(111)面上的成長
    (2007) 許宏彰
    我們利用歐傑電子能譜(Auger Electron Spectroscopy, AES)、低能電子繞射(Low Energy Electron Diffraction, LEED)、以及紫外光電子能譜術(Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy, UPS)來深入探討鐵超薄膜鍍於Pt(111) 的成長模式以及在高溫形成合金時的成份、結構變化。 室溫下,鐵薄膜鍍於Pt(111)的成長模式為三層平整成長之後再以三維島狀的S. K. mode。由AES、LEED均能得到相同的結論。而隨著厚度的增加也可以發現在表面有Domain Rotation的行為。因此在LEED Pattern出現了新的衛星亮點。 1,2 與 5 ML Fe/Pt(111)升溫過程各自在520、570與620 K開始在界面擴散;而在670、670與720 K時,開始有合金的行為;而對於2與5 ML的系統,在820與870 K時Domain Rotation的行為隨著溫度的昇高而消失。對於1 ML 深溫至1060 K時,由於表面的重構使得表面鉑原子間距加大,LEED Patternt出現新的(1x1)繞射亮點。
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    矽單層在銀薄膜上的表面形貌與能譜分析
    (2016) 蘇泰龍; SU, Tai-Lung
    在文獻中得知可以在單晶金屬表面上成長矽單層結構,在本實驗中Si(111)-(7×7)表面上成長6 ML的Ag(111)薄膜取代單晶銀塊材,然後在成長矽單層結構在銀薄膜上。首先將矽基板經過Flash與熱退火的步驟製成Si(111)-(7×7),然後降至100 K後鍍上6 ML的銀,溫度回到室溫在加熱退火至570 K,等樣品緩慢降至室溫就完成銀薄膜的製備,接著成長矽單層。   要成長矽單層,基底需要維持在500 K以上,在本實驗選擇將銀薄膜維持在550 K,鍍上1 ML的矽,就完成矽單層的製作。在此溫度製備完成的矽單層,可以用STM觀察到四種矽單層結構,分別是4×4、 、兩種 結構,除了結構上再加上STS結果,比較後發現並無差異。   因為基底並非銀塊材,所以用LEED觀察後發現Ag(1×1)會發生錯位,用STM觀察也得到相同的結果,並發現銀薄膜的錯位對矽單層的STS結果並無影響。   但當銀薄膜的厚度不同,會表現不同的特性,在6 ML的銀薄膜上鍍矽可發現矽單層,但在1 ML的銀薄膜上鍍矽卻沒有矽單層,推測鍍上去的矽與銀發生翻轉而往下埋入成為矽基板的一部分,所以6 ML的銀薄膜確實可用來代替銀塊材。