物理學系

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本系師資陣容堅強,現有教授15人、副教授12人、助理教授2人、名譽教授5人,每年國科會補助之專題研究計畫超過廿個,補助之經費每年約三千萬,研究成果耀眼,發表於國際著名期刊(SCI)的論文數每年約70篇。

近年來已在課程方面 著手變革,因應學子的各種不同的生涯規劃與需求,加強職業輔導與專業能力的提升,增加高科技相關課程,提供光電學程(光電半導體、半導體製程技術、近代光 學與光電科技等)、凝態物理、表面物理與奈米科技、高能與理論物理、生物物理、應用物理等研究發展專業人才,並配合博士逕讀辦法,讓大學部學生最快能在五 年內取的碩士(透過碩士班先修生),八年內取得博士,有助於提升本系基礎與應用研發能量,為各學術研究機構與業界高科技創新與研發人力(包括在光電業、半 導體製造業、電腦週邊產業等)。

本系亦推動網路教學(科學園)與數位科學研究,作為提供科學教學與學習系統平台的強化支援,並除了原先開設的教育學程外,多增強學生英語教學的能力,與世界科學教師系統連結,在教師從業方面,塑造世界級的物理科學教師,發揮教育影響力。

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    半導體材料GaSe1-xSx ( 0 ≦ x ≦ 1)之光譜性質研究
    (2010) 黃姿方; Tz-Fang Huang
    我們研究非線性光學半導體GaSe1-xSx (x = 0.00、0.01、0.03、0.14、0.18、0.26、0.37 及 1.00 ) 單晶塊材的光譜性質。首先,GaSe的拉曼散射光譜顯示四個拉曼活性振動模,其頻率位置在134 cm-1、212 cm-1、250 cm-1及307 cm-1,拉曼峰頻率位置隨著摻硫離子濃度上升而有藍移的現象;當x ≧ 0.18 時,我們觀察到多了一個160 cm-1拉曼峰,隨著摻雜硫離子濃度增加而對應到GaS的188.5 cm-1拉曼峰,這些拉曼散射光譜的變化與GaSe1-xSx層狀堆疊結構的改變有緊密的關聯性。此外,我們觀察到光激螢光光譜在x ≧ 0.18 時,其螢光峰的半高寬明顯變寬,且峰值的光子能量大於能隙,推測此時樣品與GaS同屬間接半導體,而多出來的能量即為聲子放射所造成。 我們進一步研究GaSe1-xSx的室溫全頻光譜與變溫穿透光譜,其中紅外聲子吸收峰隨著摻雜硫離子濃度上升而有藍移現象;由於摻雜硫離子後層間距離縮小,電子與離子作用距離較短因此作用力較強,所以造成能隙上升的現象;我們觀察到不同硫離子濃度樣品能隙的溫度變化率,在x ≧ 0.18 時略為上升後下降與低摻雜樣品的變化不同,此結果亦呼應堆疊結構的變化。最後,我們藉由使用第一原理理論計算GaSe在Γ點的聲子振動特性,並與拉曼散射光譜實驗及紅外光活性振動的實驗結果進行比較。