物理學系

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本系師資陣容堅強,現有教授15人、副教授12人、助理教授2人、名譽教授5人,每年國科會補助之專題研究計畫超過廿個,補助之經費每年約三千萬,研究成果耀眼,發表於國際著名期刊(SCI)的論文數每年約70篇。

近年來已在課程方面 著手變革,因應學子的各種不同的生涯規劃與需求,加強職業輔導與專業能力的提升,增加高科技相關課程,提供光電學程(光電半導體、半導體製程技術、近代光 學與光電科技等)、凝態物理、表面物理與奈米科技、高能與理論物理、生物物理、應用物理等研究發展專業人才,並配合博士逕讀辦法,讓大學部學生最快能在五 年內取的碩士(透過碩士班先修生),八年內取得博士,有助於提升本系基礎與應用研發能量,為各學術研究機構與業界高科技創新與研發人力(包括在光電業、半 導體製造業、電腦週邊產業等)。

本系亦推動網路教學(科學園)與數位科學研究,作為提供科學教學與學習系統平台的強化支援,並除了原先開設的教育學程外,多增強學生英語教學的能力,與世界科學教師系統連結,在教師從業方面,塑造世界級的物理科學教師,發揮教育影響力。

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    鎳超薄膜在銀(√3×√3)矽(111)上之磁性研究
    (2018) 江秉翰; Jiang, Bin-Han
    本實驗對不同厚度的Ni/√3×√3-Ag/Si(111)直接升溫,做成分及磁性的分析,發現在特定溫度範圍內會形成穩定態,且隨著Ni厚度增加,形成穩定態的發生溫度會延後,推測熱穩定度隨著Ni的厚度增加而提高。接著我們分別對12 ML Ni/√3×√3-Ag/Si(111)做直接升溫及間接升溫的比較,間接升溫較直接升溫延後200 K消磁,可知直接升溫有提高200 K之物理影響。再來有兩種製程,第一種是直接13及15 ML Ni/√3×√3-Ag/Si(111)上成長Ag,第二種是先將13及15 ML Ni/√3×√3-Ag/Si(111)間接升溫至550 K後才成長Ag,我們發現飽和磁化量及殘磁幾乎不隨著Ag厚度增加而改變,而第一種製程矯頑力不隨之改變,其原因為未先升 溫Ni排列不整齊,故蓋Ag不會增加表面缺陷,不會使矯頑力上升;但第二種製程隨著上層蓋Ag厚度增加,矯頑力會增加,其原因為先升溫可使上層Ni排列較整齊,蓋Ag會使表面缺陷增加,故矯頑力會上升。最後我們將所有樣品間接升溫,發現隨著退火溫度上升,飽和磁化量及殘磁在600 K前幾乎不變,其原因為上層蓋Ag會保護Ni/√3×√3-Ag/Si(111)使之結構不易被破壞;而溫度達550 K以上時,我們發現15 ML樣品的矯頑力會上升且出現峰值,推測此時Ni大量向上層Ag擴散導致樣品缺陷增加,使矯頑力最大。