物理學系

Permanent URI for this communityhttp://rportal.lib.ntnu.edu.tw/handle/20.500.12235/56

本系師資陣容堅強,現有教授15人、副教授12人、助理教授2人、名譽教授5人,每年國科會補助之專題研究計畫超過廿個,補助之經費每年約三千萬,研究成果耀眼,發表於國際著名期刊(SCI)的論文數每年約70篇。

近年來已在課程方面 著手變革,因應學子的各種不同的生涯規劃與需求,加強職業輔導與專業能力的提升,增加高科技相關課程,提供光電學程(光電半導體、半導體製程技術、近代光 學與光電科技等)、凝態物理、表面物理與奈米科技、高能與理論物理、生物物理、應用物理等研究發展專業人才,並配合博士逕讀辦法,讓大學部學生最快能在五 年內取的碩士(透過碩士班先修生),八年內取得博士,有助於提升本系基礎與應用研發能量,為各學術研究機構與業界高科技創新與研發人力(包括在光電業、半 導體製造業、電腦週邊產業等)。

本系亦推動網路教學(科學園)與數位科學研究,作為提供科學教學與學習系統平台的強化支援,並除了原先開設的教育學程外,多增強學生英語教學的能力,與世界科學教師系統連結,在教師從業方面,塑造世界級的物理科學教師,發揮教育影響力。

News

Browse

Search Results

Now showing 1 - 1 of 1
  • Item
    二硫化鉬相關異質結構分析
    (2021) 許銓喆; Hsu, Chuan-Che
    我們分析二硫化鉬異質結構的物理特性,我們將鐵磁性材料(鐵、鈷鈀合金)和功能性材料(金、C60)鍍在二硫化鉬的薄片上。所有實驗中的二硫化鉬都使用化學氣相沉積(CVD)來製備於二氧化矽/矽(1 0 0)上。在鍍上異質結構之前,我們都會利用原子力顯微鏡(AFM)、光致發光光譜(PL)和拉曼光譜(Raman)來檢查二硫化鉬的基本性質。形貌上,發現一些有趣的現象:高溫下(約500 k)在二硫化鉬上鈷鈀合金的實驗中觀察到有奈米顆粒會聚集在單層二硫化鉬的邊緣,然而在多層二硫化鉬中這些奈米顆粒則在每層邊緣平行排列,且我們也觀察到光致發光的quenched (淬滅)現象,這證明高溫下鈷鈀合金也有覆蓋在二硫化鉬的平台表面上且非常的平坦,粗糙度約小於±0.5 nm,相較之下,常溫下成長在二硫化鉬的鈷鈀合金薄膜卻很粗糙(粗糙度~±2 nm)。再來是關於二硫化鉬上金(2~8 nm),我們觀察到高度反轉的現象。鍍金前,二硫化鉬到基板二氧化矽的台階高度為 +0.66 nm,這大約是正常的二硫化鉬的單層厚度。鍍金後,二硫化鉬到基板之間的高度反轉成(約-1.0至-3.5 nm)。此高度反轉現象的原因是金在二硫化鉬和基板上的不同生長模式,且這機制會取決於金的鍍膜時的溫度和金的厚度。關於磁性方面,令人驚訝的是我們觀察到鐵磁性材料(鐵、鈷鈀合金)/二硫化鉬與旁邊的基板二氧化矽之間有magnetic decoupling(磁去耦合)的現象。儘管二硫化鉬厚度(~0.66 nm)比鐵或鈷鈀合金的厚度更薄,關於3.6 nm的鐵在二硫化鉬上的矯頑場 (Hc) 為 28 ±5 Oe,然旁邊區域基板二氧化矽上的3.6 nm Fe的Hc約為 58 ±5 Oe,可看出矯頑場有明顯的差異(約30 Oe),之所以會有magnetic decoupling是由於鐵在不同基材上具有明顯的界面的磁各異向性。且也觀察到鈷鈀合金在二硫化鉬上也有類似的現象,在二硫化鉬上的鈷鈀合金(8 nm)的Hc為 52 ±3 Oe,旁邊的基板二氧化矽上的鈷鈀合金Hc 為 64 ±3 Oe,可得知鈷鈀合金上也會觀察到magnetic decoupling的現象。 最後,關於有機材料在二硫化鉬上的研究,隨著C60覆蓋度的增加,PL峰值從原本是二硫化鉬主導的1.83 eV變為C60主導的1.69 eV,此外在 C60/二硫化鉬這異質結構上證明了連續雷射會導致C60脫附。大約10 mW/µm2 的雷射功率就足以讓二硫化鉬薄片中的 20 nm C60脫附,所以可用這方法設計約為 500 nm微觀圖案。除了形態結構之外,還通過連續雷射誘導C60脫附的方法,來觀察在C60/二硫化鉬上微觀圖形的PL,關於上述在二維材料二硫化鉬基本研究(形貌,磁性,有機材料雕製微觀圖形),相信這對未來的二維材料的二硫化鉬自旋電子應用或元件設非常有幫助。