物理學系

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本系師資陣容堅強,現有教授15人、副教授12人、助理教授2人、名譽教授5人,每年國科會補助之專題研究計畫超過廿個,補助之經費每年約三千萬,研究成果耀眼,發表於國際著名期刊(SCI)的論文數每年約70篇。

近年來已在課程方面 著手變革,因應學子的各種不同的生涯規劃與需求,加強職業輔導與專業能力的提升,增加高科技相關課程,提供光電學程(光電半導體、半導體製程技術、近代光 學與光電科技等)、凝態物理、表面物理與奈米科技、高能與理論物理、生物物理、應用物理等研究發展專業人才,並配合博士逕讀辦法,讓大學部學生最快能在五 年內取的碩士(透過碩士班先修生),八年內取得博士,有助於提升本系基礎與應用研發能量,為各學術研究機構與業界高科技創新與研發人力(包括在光電業、半 導體製造業、電腦週邊產業等)。

本系亦推動網路教學(科學園)與數位科學研究,作為提供科學教學與學習系統平台的強化支援,並除了原先開設的教育學程外,多增強學生英語教學的能力,與世界科學教師系統連結,在教師從業方面,塑造世界級的物理科學教師,發揮教育影響力。

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    矽微米柱輔以共觸媒二硫化鈷之光陰極於太陽能水分解之特性研究
    (2015) 陳柏慈; Chen, Po-Tzu
    太陽能光催化水分解已成為一新展望,作為一取代石化燃料之目標,乃因其具有零碳排放與空氣零汙染等優點。眾多半導體材料中以矽具備較窄之能隙與適當之傳導帶位置,其傳導帶約負於氫之還原電位,被視為於太陽能產氫燃料中最具潛力候選人之一。 本研究所使用矽微米柱乃藉由微影製程技術與乾式蝕刻製程完成,柱子長度與直徑分別約為10 μm和0.85 μm。然而目前研究領域上,水分解過程中矽光電極其穩定性仍然為一備受考驗之挑戰。在本研究中,我們選擇以二硫化鈷(CoS2)作為實驗中矽光陰極之共觸媒,其藉由對前驅物Co(OH)2以熱硫化之簡易方法即可製得。所製備之二硫化鈷修飾於矽之光陰極於電子顯微鏡下觀看,形貌呈現出一微米尺度之核-殼結構,二硫化鈷完全包覆於光觸媒矽之表層。研究中,矽光陰極於太陽模擬光照射(100 mW/cm2)、標準氫電極電位(reversible hydrogen electrode)RHE為0 V下並無法顯示出光反應,然而當沉積4小時之二硫化鈷修飾矽微米柱表面後,光電流可提升至0.666 mA/cm2。所有樣品之最佳參數為沉積6小時之CoS2-Si光陰極,其餘外加偏壓為0 V時之光電流大小可達3.22 mA/cm2,而起始電位正偏移至0.248 V,若進一步將二硫化鈷修飾量增加,則可能加長光生載子所需傳輸路徑,反而增加載子再結合機率。另一方面CoS2-Si-6h光陰極其穩定性於0 V(vs. RHE)可維持9小時而不具明顯衰減。 光催化水分解之表現實驗中由交流阻抗法進行分析,量測到用不同時間沉積二硫化鈷所得之阻抗值與光電流特性曲線具有相同趨勢。同時我們以同步輻射光源進行x光吸收能譜,期望更深入瞭解光電子於矽與二硫化鈷間之傳導訊息,研究中我們亦以x光光電子能譜以研究二硫化鈷修飾於矽、矽與白金修飾於矽等三種光電極差異。證明出矽與鉑-矽光電極之光催化效率衰減來自於實驗過程中矽於水溶液中產生氧化所致,而以二硫化鈷修飾矽後,則因二硫化鈷扮演一完全覆蓋之保護層,使得反應前後之光陰極之訊號不存在差異性。 研究結果顯示CoS2-Si於本研究中作為一光催化水分解上之良好光陰極,同時作為促進載子傳輸效率之共觸媒,與能夠避免矽產生氧化之鈍化層。利用CoS2-Si-6h作為光陰極進行光催化水分解之產氫與產氧效率分別為0.833與0.414 μmol/min。 關鍵字:水分解、光觸媒、光陰極