物理學系

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本系師資陣容堅強,現有教授15人、副教授12人、助理教授2人、名譽教授5人,每年國科會補助之專題研究計畫超過廿個,補助之經費每年約三千萬,研究成果耀眼,發表於國際著名期刊(SCI)的論文數每年約70篇。

近年來已在課程方面 著手變革,因應學子的各種不同的生涯規劃與需求,加強職業輔導與專業能力的提升,增加高科技相關課程,提供光電學程(光電半導體、半導體製程技術、近代光 學與光電科技等)、凝態物理、表面物理與奈米科技、高能與理論物理、生物物理、應用物理等研究發展專業人才,並配合博士逕讀辦法,讓大學部學生最快能在五 年內取的碩士(透過碩士班先修生),八年內取得博士,有助於提升本系基礎與應用研發能量,為各學術研究機構與業界高科技創新與研發人力(包括在光電業、半 導體製造業、電腦週邊產業等)。

本系亦推動網路教學(科學園)與數位科學研究,作為提供科學教學與學習系統平台的強化支援,並除了原先開設的教育學程外,多增強學生英語教學的能力,與世界科學教師系統連結,在教師從業方面,塑造世界級的物理科學教師,發揮教育影響力。

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    利用掃描穿隧顯微鏡探測在二硫化鉬上表面缺陷的電子特性
    (2016) 張子韋; Chang, Tzu-Wei
    在N型半導體,缺陷通常扮演著捕捉電子的角色,因為其表面缺陷的能態大部分落在能隙中,導致導帶電子會掉到缺陷的表面能態裡,也就是電子被捕捉了,所以N型半導體在表面上都是電子空乏的。然而根據文獻指出,在N型半導體中也有些特例如InN,其表面的缺陷能態會提供電子出來,因缺陷的表面態位於導帶之上,導致缺陷的電子就提供到材料表面,所以表面更為導電,造成電子聚集在表面的現象,稱為表面載子累積,此現象進而影響到表面的電導率。由研究指出,在二硫化鉬厚度減少的情況下,電導率上升,雖然在電導值的量測上已經有一些相關的證據,但還是缺乏了一個直接的證據,說明缺陷的能態密度是對表面有影響的。因此,本實驗利用掃描穿隧顯微鏡,直接觀察於表面缺陷的電子特性,並透過機械剝離法,探討缺陷能態密度的變化。本實驗量測結果發現,在靠近導帶的dI/dV曲線特徵峰值,主要由鉬的懸鍵上的未配對電子所貢獻,而另一靠近價帶的dI/dV曲線,較微弱的特徵峰值是由硫缺所貢獻,在機械剝離法後發現,硫缺的能態密度會因為氧氣分子的吸收進而降低能態密度。