物理學系

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本系師資陣容堅強,現有教授15人、副教授12人、助理教授2人、名譽教授5人,每年國科會補助之專題研究計畫超過廿個,補助之經費每年約三千萬,研究成果耀眼,發表於國際著名期刊(SCI)的論文數每年約70篇。

近年來已在課程方面 著手變革,因應學子的各種不同的生涯規劃與需求,加強職業輔導與專業能力的提升,增加高科技相關課程,提供光電學程(光電半導體、半導體製程技術、近代光 學與光電科技等)、凝態物理、表面物理與奈米科技、高能與理論物理、生物物理、應用物理等研究發展專業人才,並配合博士逕讀辦法,讓大學部學生最快能在五 年內取的碩士(透過碩士班先修生),八年內取得博士,有助於提升本系基礎與應用研發能量,為各學術研究機構與業界高科技創新與研發人力(包括在光電業、半 導體製造業、電腦週邊產業等)。

本系亦推動網路教學(科學園)與數位科學研究,作為提供科學教學與學習系統平台的強化支援,並除了原先開設的教育學程外,多增強學生英語教學的能力,與世界科學教師系統連結,在教師從業方面,塑造世界級的物理科學教師,發揮教育影響力。

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    摻雜釤離子氧化鋅與單層過渡金屬二硫屬化合物薄膜之光譜性質研究
    (2018) 陳軍翰
    我們量測摻雜釤離子氧化鋅薄膜的拉曼散射光譜、穿透光譜及橢圓偏振光譜,研究不同摻雜濃度對氧化鋅薄膜光譜性質的影響。另外,我們量測單層過渡金屬二硫屬化合物薄膜(MoS2、MoSe2、WS2及WSe2)的變溫橢圓偏振光譜,探討單層過渡金屬二硫屬化合物薄膜的光譜性質。 未摻雜氧化鋅薄膜的拉曼散射光譜顯示兩個拉曼特徵峰,頻率位置為99.1 cm-1和437.9 cm-1,分別為E2(low)及E2(high)振動模,隨釤離子濃度上升,E2(low)藍移,E2(high)紅移,強度逐漸下降,並於釤離子濃度3%以上消失。穿透光譜顯示隨著釤離子濃度增加,紫外光區的透光率增加。吸收光譜展現隨著釤離子濃度增加,能隙逐漸藍移,我們分別以柏斯坦-莫斯位移理論(Burstein-Moss effect)及Zn1-xSmxO合金能帶結構解釋低濃度(≤5%)與高濃度(≥8%)摻雜樣品能隙之變化。 藉由分析變溫橢圓偏振光譜數據,我們取得單層過渡金屬二硫屬化合物薄膜之變溫折射率與消光係數能譜圖,隨著溫度上升,整體折射率與消光係數強度逐漸下降,結構紅移。我們觀察到所有樣品於近紅外與可見光區域皆有兩個明顯的吸收峰值,標記為A,B激子,為自由激子於布里淵區K(K´)點之躍遷。緊接在自由激子後的數個結構為電子於布里淵區Λ與M點之躍遷。所有樣品之光學能隙皆隨著溫度上升而紅移,A,B激子紅移,半高寬增寬。A,B激子之能量差為自旋耦合分裂能量,其不隨溫度變化而改變。