物理學系

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本系師資陣容堅強,現有教授15人、副教授12人、助理教授2人、名譽教授5人,每年國科會補助之專題研究計畫超過廿個,補助之經費每年約三千萬,研究成果耀眼,發表於國際著名期刊(SCI)的論文數每年約70篇。

近年來已在課程方面 著手變革,因應學子的各種不同的生涯規劃與需求,加強職業輔導與專業能力的提升,增加高科技相關課程,提供光電學程(光電半導體、半導體製程技術、近代光 學與光電科技等)、凝態物理、表面物理與奈米科技、高能與理論物理、生物物理、應用物理等研究發展專業人才,並配合博士逕讀辦法,讓大學部學生最快能在五 年內取的碩士(透過碩士班先修生),八年內取得博士,有助於提升本系基礎與應用研發能量,為各學術研究機構與業界高科技創新與研發人力(包括在光電業、半 導體製造業、電腦週邊產業等)。

本系亦推動網路教學(科學園)與數位科學研究,作為提供科學教學與學習系統平台的強化支援,並除了原先開設的教育學程外,多增強學生英語教學的能力,與世界科學教師系統連結,在教師從業方面,塑造世界級的物理科學教師,發揮教育影響力。

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    氮化鎵高電子遷移率電晶體中表面陷阱誘導閘極漏電的低溫溫度依賴性及其滯後現象之研究
    (2024) 潘敬揚; Pan, Ching-Yang
    本研究聚焦於蕭特基閘極氮化鎵高電子遷移率電晶體中表面陷阱輔助的閘極漏電現象,並分析其在 1.5 K 到 300 K 溫度範圍中的行為。在小的閘極電壓下,觀察到表面漏電由二維變程跳躍(two-dimensional variable-range hopping)主導。在較高的負閘極偏壓下,與電場相關的普爾—法蘭克發射(Poole–Frenkel emission)成為 200 K 以上的主要表面漏電機制。由於凍結陷阱效應(frozen-trap effect)隨著降溫而增強,低溫抑制了普爾—法蘭克發射,使得陷阱輔助穿隧(trap-assisted tunneling)變得明顯,逐漸成為主要的表面漏電機制。根據普爾—法蘭克發射模型的擬合結果,得到陷阱態的能階為 0.65 eV。元件亦展現出閘極漏電流的滯後行為,即表面漏電流不僅受到閘極電壓影響,也受其掃描方向及速率影響。此外,閘極漏電流滯後行為有明顯的溫度依賴性:在高溫下,由普爾—法蘭克發射引發的漏電流滯後有順時針的迴線,並且幾乎不受掃描閘極電壓的速率影響;而低溫下,由陷阱輔助穿隧引發的滯後迴線則為逆時針,並且在更高速的閘極電壓掃描下有著更明顯的滯後迴線。更深入地理解這些機制在不同溫度下對元件可靠性的影響,有助於未來用於低溫環境的氮化鎵元件的開發與優化。