物理學系

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本系師資陣容堅強,現有教授15人、副教授12人、助理教授2人、名譽教授5人,每年國科會補助之專題研究計畫超過廿個,補助之經費每年約三千萬,研究成果耀眼,發表於國際著名期刊(SCI)的論文數每年約70篇。

近年來已在課程方面 著手變革,因應學子的各種不同的生涯規劃與需求,加強職業輔導與專業能力的提升,增加高科技相關課程,提供光電學程(光電半導體、半導體製程技術、近代光 學與光電科技等)、凝態物理、表面物理與奈米科技、高能與理論物理、生物物理、應用物理等研究發展專業人才,並配合博士逕讀辦法,讓大學部學生最快能在五 年內取的碩士(透過碩士班先修生),八年內取得博士,有助於提升本系基礎與應用研發能量,為各學術研究機構與業界高科技創新與研發人力(包括在光電業、半 導體製造業、電腦週邊產業等)。

本系亦推動網路教學(科學園)與數位科學研究,作為提供科學教學與學習系統平台的強化支援,並除了原先開設的教育學程外,多增強學生英語教學的能力,與世界科學教師系統連結,在教師從業方面,塑造世界級的物理科學教師,發揮教育影響力。

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    氧與氧化鈷在鈷/矽(111)超薄膜上之磁性研究
    (2008) 張惟祐; Michael
    摘要 本實驗在超高真空的環境中,使用蒸鍍的方式將Co膜成長在Si (111)-7×7表面上,通入高純度之O2來研究曝氧效應對於Co/Si(111)超薄膜之影響,以歐傑電子能譜儀分析其表面成份,以低能量電子繞射儀以及反射式高能量電子繞射儀觀察其表面週期性結構,以表面磁光柯爾效應儀量測其磁性質。 在純Si (111)基板以及CoSi2介面上,O2會有弱物理吸附而不形成化合態;在鍍上Co膜後,O2吸附之效應較強,且吸附效果隨著Co膜厚成正相關。而O2的吸附作用將改變Co/Si(111)超薄膜之表面磁性層的電子組態改變,故MS、MR與其磁滯曲線角型比皆呈現下降之趨勢。此外由於O2的吸附之效應,一方面降低了有效磁性Co的層數,因而降低了HC;另一方面形成了釘紮區域(pinning sites)阻礙磁化的反轉,因而提高HC,而本系統所觀測到HC之變化為此兩種效應互相競爭的結果。 另一方面,以氧壓下鍍Co的方式製作超薄反鐵磁CoO膜於11 ML Co/Si (111)上,其易磁化軸由原本的水平膜面轉變至傾斜出膜面。且經過場冷卻至150 K可發現水平膜面與垂直膜面兩方向皆有交換偏壓的現象產生。於 CoO膜厚為20 ML時,此系統有最大水平膜面交換偏向場為258 Oe,且其阻隔溫度為200 K;而於CoO膜厚為15 ML時,此系統有最大垂直膜面交換偏向場為924 Oe,且其阻隔溫度為164 K。