機電工程學系

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系所沿革

為迎合產業機電整合人才之需求,本校於民國 91年成立機電科技研究所,招收碩士班學生;隨後並於民國93年設立大學部,系所整合為「機電科技學系」,更於101學年度起招收博士班學生。103學年度本系更名為「機電工程學系」,本系所之發展方向與目標,係配合國家政策、產業需求與技術發展趨勢而制定。本系規劃專業領域包含「精密機械」及「光機電整合」 為兩大核心領域, 使學生不但學有專精,並具跨領域的知識,期能強化學生之應變能力,以適應多元變化的明日社會。

教學目標主要希望教導學生機電工程相關之基本原理與實務應用的專業知能,並訓練學生如何運用工具進行設計、執行、實作與驗證各項實驗,以培養解決機電工程上各種問題所需要的獨立思考與創新能力。

基於建立系統性的機電工程整合教學與研究目標,本系學士班及研究所之教育目標如下:

一、學士班

1.培育具備理論與實作能力之機電工程人才。

2.培育符合產業需求或教育專業之機電工程人才。

3.培育具備人文素養、專業倫理及終身學習能力之機電工程人才。

二、研究所

1.培育具備機電工程整合實務能力之專業工程師或研發人才。

2.培育機電工程相關研究創新與產業應用之專業工程師或研發人才。

3.培育具備人文素養、專業倫理及終身學習能力之專業工程師或研發人才。

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    金屬/氧化鉿(HfO2)/氧化釩(VO2)/氧化鉿(HfO2)/Si 結構應用於MOSFET之電性研究
    (2022) 薛建宏; HSUEH, Chien-Hung
    隨著現代科技產品朝向輕、薄、功能性多以及多樣化結合的發展,使得電子產品的製造商對於半導體元件的要求變更加嚴格,因此對於電晶體的品質要求也隨之變高。本研究使用了高功率脈衝磁控濺鍍技術(HIPIMS)來製作鋁(Al)/二氧化鉿(HfO2)/二氧化釩(VO2)/二氧化鉿(HfO2)/Si之MIS結構,有別於傳統的直流磁控濺鍍技術,高功率脈衝磁控濺鍍技術能更有效率的製作薄膜。本研究採以不同的VO2薄膜厚度(20 nm、40 nm、60 nm),以及不同的退火溫度(500 ºC、650 ºC、800 ºC)退火60秒,使用半導體分析儀量測電流-電壓 (I - V)和電容-電壓(C - V)特性,並分析不同厚度和退火溫度所造成的影響。最後,會進一步的量測電容-電壓(C - V)電特性量測進行介面陷阱電荷(Dit)的量測,探討不同的參數對於漏電流以及界面陷阱密度(Dit)的影響。我們在各個退火溫度與薄膜厚度的關係中可以發現,當薄膜厚度在20 nm 的時候退火溫度越高,漏電流越大,而當薄膜厚度在40、60 nm時,退火溫度越高,漏電流反而更小,推測是材料內部的結晶重新排列消除了大部分的缺陷,而退火溫度太低還沒到達再結晶溫度,因此漏電流會隨著厚度增加。進行了界面陷阱電荷密度(Dit)量測,我們在各個退火溫度與薄膜厚度的關係中可以發現與電性量測時相同的趨勢,在20 nm的時候退火溫度越高,陷阱越大,而當薄膜厚度在40、60 nm 時,退火溫度越高,陷阱反而更小,而在這之中比較出最好的數值是800 ºC的退火溫度,厚度40 nm的試片,會形成這樣的結果推測是因為厚度在40 nm 時有較好的薄膜反應並且有將缺陷以及應力消除。