學位論文
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Item C頻帶互補式金屬氧化物半導體功率放大器與線性化技術研究(2017) 鄭怡建; Cheng, Yi-Chien第一顆電路為使用變壓器功率合成技術之C頻段功率放大器，以變壓器功率合成技術完成放大器功率結合，並藉由阻抗轉換特性達成輸出與輸入之阻抗匹配。當操作頻率為5.3 GHz且VG1為0.85 V時，功率增益約16.48 dB，飽和輸出功率(Psat)約為27.69 dBm，1-dB增益壓縮點之輸出功率(OP1dB)約為22.53 dBm，最大功率附加效率(PAE)約為28.34 %。整體晶片佈局面積為1.17 mm × 0.655 mm。 第二顆電路為具內建線性器之C頻段功率放大器，線性器架構採用共閘極串級二極體組態。當操作頻率為5.3 GHz，且VG1為1 V線性器開啟時，功率增益約14.25 dB，飽和輸出功率(Psat)約為27.06 dBm，1-dB增益壓縮點之輸出功率(OP1dB)從22.48 dBm提升至26.24 dBm，最大功率附加效率(PAE)約為23.94 %，三階交互調變失真IMD3在輸出功率約為18 dBm以前皆可抑制在-40 dBc左右。整體晶片佈局面積為1.14 mm × 0.64 mm。 第三顆電路為具內建線性器之C頻段功率放大器，線性器架構採用疊階組態。當操作頻率為5.3 GHz ，且VG1為0.85 V線性器開啟時，功率增益約11.98 dB，飽和輸出功率(Psat)約為26.84 dBm，1-dB增益壓縮點之輸出功率(OP1dB)從 22.69 dBm提升至24.7 dBm，最大功率附加效率(PAE)約為22.22 %，而三階交互調變失真IMD3在輸出功率約為18.5 dBm以前皆可抑制在-40 dBc左右。整體晶片佈局面積為1.14 mm × 0.64 mm。 第四顆電路為具內建線性器之C頻段功率放大器，線性器架構採用共閘極串級電阻組態。當操作頻率為5.3 GHz ，且VG1為0.85 V線性器開啟時，功率增益約13.1 dB，飽和輸出功率(Psat)約為26.94 dBm，1-dB增益壓縮點之輸出功率(OP1dB)從20.95 dBm提升至23.81 dBm，最大功率附加效率(PAE)約為25.05 %，而三階交互調變失真IMD3在輸出功率約為18.5 dBm以前皆可抑制在-40 dBc左右。整體晶片佈局面積為1.14 mm × 0.64 mm。