教師著作
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Item 新型三維微探針陣列製作技術開發(2007-11-23) 楊啟榮; 曾柏翔; 賴昶均; 羅嘉佑本研究提出一種新型微探針陣列製造技術，利用微機電製程特有之矽基體型微加工技術、KMPR厚膜光阻微影、精密電鑄製程，並結合PDMS聚合物材料之選用，於可撓曲基板上製造出三維微探針陣列。於實驗中，建立新型厚膜光阻KMPR 1050之相關製程參數，使得以一次旋轉塗佈的製程，便可得到厚度約130.mu.m之光阻膜。配合KOH蝕刻、精密電鑄製程與本實驗所提出之二階段式光阻去除步驟，可於撓曲基材上製作出高度約170.mu.m、寬為50.mu.m，深寬比達3.4，且具出平面特性之微探針陣列。Item 整合光輔助電化學穿孔蝕刻與微電鑄技術應用於微金屬柱陣列之研製(2007-11-23) 楊啟榮; 李明承; 羅嘉佑; 張龍吟本研究將整合光輔助電化學蝕刻(ECE)與精密電鑄技術，以開發高密度金屬垂直結構陣列之製程技術。利用改變光照強度與電流密度等實驗條件，以電化學蝕刻達到矽晶圓高密度微穿孔的目的，再利用精密電鑄技術進行穿孔之金屬導體填充，如此可實現高密度金屬垂直結構陣列。未來可應用於積體化探針陣列之製作，或利用晶圓內垂直導體而實現晶圓級堆疊封裝之目的。此技術開發有設備與製程成本低、可積體化生產、與半導體製程相容性高、批次生產與良率高等特點。 基於上述，本研究利用自行開發之低成本電化學蝕刻(ECE)設備，順利測得相關製程之最佳參數。由實驗結果已驗證，在利用電化學蝕刻技術製作高深寬比微孔洞陣列方面，當蝕刻時間達到31.5小時，可得高深寬比之穿孔結構。所用之晶片為n-type <100>，其蝕刻液為2.5 wt.%之氫氟酸溶液，陽極放置矽晶片，陰極為白金電極，獲得之穿孔其線寬為40 μm，深寬比約為12.5，證明利用此技術已能局部取代乾式蝕刻之應用領域。在金屬柱電鑄方面，利用正負脈衝電流，使金屬柱陣列能順利成形，其金屬柱高度約500 μm，深寬比約為12.5。