教師著作
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Item 複合量子點合成之玻璃微反應晶片開發(2006-11-30) 楊啟榮; 程金保; 鍾武雄; 吳俊緯; 彭榆鈞; 謝佑聖Item 新型高深寬比奈米柱狀陣列製作技術(2006-11-24) 程金保; 楊啟榮; 湯杜翔; 曾柏翔; 吳俊緯Item 玻璃深蝕刻技術開發與被動式微混合器之製作(2006-11-24) 程金保; 楊啟榮; 鍾武雄; 吳俊緯; 張明宗; 謝佑聖Item 電化學沉積技術應用於微型熱電致冷器之研製(2007-11-16) 楊啟榮; 程金保; 張明宗; 古耀方; 王裕強Item 奈米柱應用於燃料電池電極之技術開發(2006-11-30) 楊啟榮; 程金保; 湯杜翔; 曾柏翔; 林宏展Item 新型微機械式可變電容之設計與製作(2005-11-25) 程金保; 楊啟榮; 黃信瑀; 劉榮德; 湯杜翔Item 全 SU-8 厚膜光阻之靜電式微夾持器研製(2005-11-25) 楊啟榮; 程金保; 王服賢; 張峻銘; 施建富Item 微機電LIGA製程之電鑄銅合金研究(2006-11-11) 楊啟榮; 程金保; 劉榮德; 張明宗; 彭榆鈞Item 高溫暨高壓蝕刻機制應用於單晶矽非等向性濕式蝕刻之特性研究(2005-11-10) 楊啟榮; 程金保; 楊証皓; 施建富Item 單晶矽非等向性濕式蝕刻之壓力輔助機制特性研究(2005-11-25) 楊啟榮; 程金保; 楊証皓; 施建富; 張峻銘本研究之新型微機械式可變電容，具有製程簡單、生產成本低、良率高等特點，除了可取代電子式變容器外，其整套製程也能與標準積體電路製程相容，因此有能力達成將微機械式可變電容與其他電子電路整合，實現系統單晶片(system on a chip, SOC)的目標。本研究主要分為元件製程與訊號量測兩大部分：1.在元件製程上，成功地運用光阻犧牲層技術與犧牲層保護膜，製作出SU-8光阻之懸浮微結構。整個微機械式可變電容元件包括：下電極、光阻犧牲層、SU-8可動結構層與上電極，最後再將犧牲層移除，以完成元件製作。2.在訊號量測上，由電容電壓關係曲線得知，當頻率固定在2000 Hz時，此電容值變化是在外加偏壓為40伏特與無外加偏壓下的電容差值，則此元件具有0.3 pF的電容變化量。由史密斯圖得知，頻率從45 MHz至1.079 GHz的範圍內，此可變電容是電容性元件，其具有理想的品質因子，且等效電路為良好的開路。當頻率固定在1.079 GHz時，其輸入反射係數表示為S(1,1)=0.540/-176.102。