教師著作
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Item 一種懸空結構的製造方法(2009-06-21) 楊啟榮; 林明憲; 李明承一種懸空結構的製造方法,包含下列步驟:(1)提供一矽基板;(2)定義一圖形於該矽基板上,該圖形則具有一保留區與一蝕刻區;(3)以電化學蝕刻,是對該矽基板通以一電場並輔以一蝕刻液進行蝕刻,其中對該電場施以一第一電流密度,將該蝕刻區下方的矽基板去除,致使該保留區下方即形成一預備懸空結構,則該預備懸空結構具有一底部與該矽基板連接;以及(4)改變該電場的電流密度至一高於該第一電流密度的第二電流密度,藉以去除該底部,而使該預備懸空結構懸空於該矽基板上而成為一懸空結構。Item 整合光輔助電化學穿孔蝕刻與微電鑄技術應用於微金屬柱陣列之研製(2007-11-23) 楊啟榮; 李明承; 羅嘉佑; 張龍吟本研究將整合光輔助電化學蝕刻(ECE)與精密電鑄技術，以開發高密度金屬垂直結構陣列之製程技術。利用改變光照強度與電流密度等實驗條件，以電化學蝕刻達到矽晶圓高密度微穿孔的目的，再利用精密電鑄技術進行穿孔之金屬導體填充，如此可實現高密度金屬垂直結構陣列。未來可應用於積體化探針陣列之製作，或利用晶圓內垂直導體而實現晶圓級堆疊封裝之目的。此技術開發有設備與製程成本低、可積體化生產、與半導體製程相容性高、批次生產與良率高等特點。 基於上述，本研究利用自行開發之低成本電化學蝕刻(ECE)設備，順利測得相關製程之最佳參數。由實驗結果已驗證，在利用電化學蝕刻技術製作高深寬比微孔洞陣列方面，當蝕刻時間達到31.5小時，可得高深寬比之穿孔結構。所用之晶片為n-type <100>，其蝕刻液為2.5 wt.%之氫氟酸溶液，陽極放置矽晶片，陰極為白金電極，獲得之穿孔其線寬為40 μm，深寬比約為12.5，證明利用此技術已能局部取代乾式蝕刻之應用領域。在金屬柱電鑄方面，利用正負脈衝電流，使金屬柱陣列能順利成形，其金屬柱高度約500 μm，深寬比約為12.5。Item 電化學蝕刻技術應用於靜電式微致動器之研製(2006-11-30) 楊啟榮; 陳顯禎; 郭華皓; 李明承; 張明宗Item PDMS微反應器應用於金奈米微粒合成之研製(2006-11-11) 楊啟榮; 施建富; 林宏展; 李明承; 郭文化Item 利用電化學蝕刻技術應用於微懸浮結構之製作(2006-11-24) 楊啟榮; 陳顯禎; 郭華皓; 李明承; 曾柏翔