學位論文
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Item 超導薄膜層狀結構表面阻抗之計算(2009) 陳耀立; Yao-Li Chen這篇論文有六個章節。第一個章節是介紹超導體電磁基本特性，第二章節是敘述我們計算表面阻抗的理論及方法去。第三章節是我們要在半導體基板上求得超導體薄膜在中紅外光的頻段下的表面阻抗，在第三章節第一個結構下存在著一個導體薄膜的臨界厚度，能使整個結構的損耗達到最低，而且半導體的高頻相對介電常數也影響著超導體的表面阻抗，而在第三章節第二個結構中，半導體基板為有限的厚度，我們研究基板共振的情形。第四章節我們在鐵磁基板上求得超導薄膜的表面阻抗，我們分別改變超導體厚度以及鐵磁基板厚度，研究其表面阻抗的變化。第五章節是在超導體與半導體的周期結構下，除了探討一般的正向入射的情況外，還會探討斜向入射的情況，在正向入射的情況下，在不同的周期數時存在著一個超導薄膜的臨界厚度，能使整個結構的損耗達到最低，而在斜向入射的情況下，我們針對不同的周期數，其入射角對於表面阻抗之變化情形，也有加以探討，最後在第六章節是我們的結論。Item 超導光子晶體光學性質研究(2016) 孫慈儀; Sun, Tzu-Yi本篇論文採用數值模擬方法研究含超導材料層的一維光子晶體結構其光學特性。藉由轉移矩陣法計算由超導層A、介電層B交替排列形成一維週期組合，再以組合為單位進行一維的正向與反向串聯堆疊，並求得其透射頻譜，並由模擬結果可以對不同的排列歸納出其特性規律。再藉由加入磁場變因，研究超導光子晶體於外加磁場下與臨界磁場之間的關係，並觀察頻譜所產生的變化，並嘗試藉由調整各種變因達到控制頻譜狀態的目的，藉由研究得知在環境溫度小於臨界溫度，且外磁場小於臨界磁場時，禁帶帶寬會隨溫度上升、外磁場增強而變窄。最後將前兩項研究的結果進行結合，驗證高溫超導與低溫超導特性相近，在變更超導層與介電層厚度後觀察狹窄頻段內所產生的峰在外磁場影響下的變化。 關鍵字：光子晶體、超導、透射光譜。Item MgB2超導薄膜研製與微橋製作(2005) 徐泓璋摘要 為了研製MgB2的微橋，利用磁控濺鍍及在自行設計的不銹鋼盒內作高溫退火，在Al2O3的基座上生成MgB2薄膜。目前所製得的最佳MgB2薄膜其超導臨界溫度（Tc）約為24 K，ΔT約為2 K，表面平坦度為8 nm。該等薄膜看起來有約500 nm結晶顆粒，但不具六角形晶粒。從X光繞射分析譜與硼的K-edge近緣X光吸收光譜確認目前的樣品為MgB2薄膜。 利用紫外光微影蝕刻（UV-light lithography）製程製作線寬為3 μm與4 μm的MgB2微橋，由測量電阻率隨溫度變化曲線可見臨界溫度下降約3 K及ΔT變大至約5 K。 使用電子束微影蝕刻（E-Beam lithography）製程製作出線寬為0.5 μm、10 μm與20 μm的MgB2微橋，同樣的也使用賓州大學製作的MgB2薄膜（Tc為41 K，ΔT～ 0.2 K），作出10 μm與20 μm的MgB2微橋。兩相比較，發現我們製作的薄膜，其Tc的下降及ΔT的變大均比賓州大學製作的來的差，可見得結晶顆粒的大小及樣品內雜質的多寡對蝕刻後的樣品品質有影響。就10 μm微橋的臨界電流密度（Jc）來作比較，發現我們樣品的Jc比賓州大學樣品的Jc來的差。