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Subject: search.filters.subject.奈米線

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    利用 I-line 微影及相關製程技術開發奈米級 Ω 型金氧半場效電晶體和無接面式電晶體
    (2019) 樂杰; Lo, Chieh
    元件尺寸微縮在相同的面積下有著更高的效能，因此元件大小成 為現今科技業一直持續努力的目標，然而隨著元件尺寸持續的微縮， 短通道效應也隨著元件的微縮到來，當通道到達了數十奈米甚至是奈 米量級的時候，嚴重的短通道效應將會帶來許多問題，因此能夠有效 控制閘極能力至關重要，目前發展出許多方法來改善短通道效應，通 道使用奈米線並配合三維結構如鰭式電晶體、Ω 形電晶體，藉由增加 閘極的控制面積，來有效抑制漏電流，而這類型的電晶體也是在物聯 網時代低耗能的候選者。 本論文主要探討的是透過台灣半導體實驗室(TSRI) 0.35μm 製程 的設備，製作 Ω 型金氧半場效電晶體(Ω-Shape MOSFETs)和 Ω 型 無接面式電晶體(Ω-Shape JLFETs)，藉由在矽基板上堆疊二氧化矽 和多晶矽來取代 SOI，盡可能降低成本並配合 365 奈米 I-Line 光學 步進機快速生產元件，配合各種方式來微縮元件尺寸，藉此開發具有 奈米級線寬的電晶體。
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    具垂直異向性之一維磁性多層奈米線與磁性穿隧接面奈米元件
    (2011) 陳柏源; Po Yuan Chen
    具垂直磁異向性之奈米材料於發展下一代磁紀錄媒體與磁電阻式隨機存取記憶體扮演極重要的腳色。結合電化學電沉積技術與具奈米孔洞之氧化鋁模板可達成大量製造、低成本與高密度之目標。本研究所製備之鈷與鎳鐵合金之奈米線被證實具備垂直磁異向性且可透過磁晶異向性與形狀異向性來調整。結合具垂直磁異向性之鎳鐵合金奈米線與鈷鐵硼薄膜之磁性穿隧接面元件已成功被製造與探討。於低溫10K的環境下，鈷鐵硼薄膜厚度為1.5奈米時，其磁阻為104%，而鈷鐵硼薄膜厚度為1.0奈米時，其磁阻為110%，且在鈷鐵硼薄膜厚度小於1.0奈米時，於無固定層的條件下元件呈現出自旋閥的特性。
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    極小NXN多模干涉光分歧器之研究與應用
    (2007) 林建宏; Chien-Hung Lin
    本文設計最理想的奈米接取波導對於NxN型多模干涉光分歧器，並且成功在SOI晶片上模擬極小的2x2, 4x4, 8x8, 16x16 和 32x32多模干涉光分歧器。藉由SOI奈米波導技術，有效地縮減多模干涉光分歧器的元件尺寸，有助於積體光學元件之發展。接著，我們提出一個新穎的極小型1.3/1.55微米波長解多工器，是建構在多模干涉元件並內含光子晶體。最後，我們架構一個模擬的40Gb/s光傳輸系統，得到我們設計的NxN光分歧器可運用在40Gb/s光傳輸系統並有良好的傳輸品質。
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    多層膜磁性奈米線之製備及其特性分析
    (2007) 陳柏源
    奈米材料為原子與分子之組合，且針對尺度於1~100 nm材料之製造技術與性質研究。新穎之多層磁性奈米線結構，可藉由控制其形貌與磁性金屬之選擇，進而可得不同之磁與電阻特性，故此多層奈米線結構除學術上具高度之研究價值，更於下ㄧ代垂直式記錄媒體有無限之發展空間。 本研究藉由電化學電鍍於多孔性氧化鋁膜裡沉積磁性多層奈米線，並藉由電化學循環伏安分析法（cyclicvoltametry analysis；CV）分析電鍍液之還原電位，以掃瞄式電子顯微鏡（scanning electron microscope；SEM）鑑定多孔性氧化鋁膜之表面型態；藉由X光粉末繞射儀（powder X-ray diffractometer；XRD）鑑定材料之純度、晶體結構；藉由穿透式電子顯微鏡（transmission electron microscope；TEM）、掃瞄式電子顯微鏡（scanning electron microscope；SEM）與能量散佈X光光譜儀（energy dispersive X-ray spectrometer；EDS）鑑定多層磁性奈米金屬線之精確結構、成分與成長型態；並以振動樣品磁力儀（vibrating sample magnetometer；VSM）鑑定材料之磁滯曲線與角形比，並透過磁阻量測用以觀測磁阻與膜厚之關係。本研究開發孔徑為17 nm與80 nm或形貌為圓形與橢圓形不同孔洞數目之氧化鋁模版以期適用於不同用途之元件，於氧化鋁模板小於100 nm直徑之孔洞內，以電化學方式成長鈷/銅與鎳鐵/銅之奈米線，鈷/銅奈米線隨著磁性層之深寬比增加其磁易軸由垂直方向往水平方向偏移，相反地，鎳鐵/銅奈米線隨著磁性層之深寬比增加其磁易軸由水平方向往垂直方向偏移。藉由調控pH值以控制磁性層之晶格結構，當pH值為2時，其鈷為fcc組成，當pH值為3.5時，其鈷為fcc與hcp以相同比例組成，而造成其磁性質有明顯之變化為其hcp結構破壞其對稱性所造成。成長具自旋閥結構之奈米線[Co(40 nm) /Cu(4 nm) / Co(40 nm)]。其於室溫下具巨磁阻率23.4%。本研究結果將可應用於未來之磁感測元件。