學位論文

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2008 - 200912010 - 20111

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Subject: search.filters.subject.奈米柱

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    斜向磁控濺鍍銦錫氧化物透明導電膜之光吸收特性研究
    (2011) 佘立維; Li-Wel She
    本論文是利用斜向磁控濺鍍系統成長銦錫氧化物於具有奈米柱結構的矽基板上。系統地分析及量測斜向濺鍍ITO之形態分佈、穿透反射率以及導電性，進而探討斜向濺鍍薄膜ITO之光吸收特性，並將其薄膜應用在具奈米柱結構的矽基板太陽能電池上。首先製作奈米柱，奈米柱是利用鎳薄膜進行快速熱退火形成奈米鎳球當作蝕刻的遮罩進行乾式蝕刻奈米柱300nm。斜角濺鍍則是以射頻濺鍍系統將ITO薄膜成長在半導體基板上，並以掃瞄式電子顯微鏡觀察其柱狀傾斜角的形態。最後透過光學分析的方式量測折射及反射率。折射率是以橢圓儀量測，反射率則是利用不同波段的雷射光以及白光透過積分球量測取得。本研究成功製作出一傾斜角度為50o，反射率約為10%，折射率為1.7的斜向ITO奈米柱抗反射薄膜。
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    低溫水溶液法合成氧化鋅奈米柱之發光二極體
    (2008) 彭成基; Chen-Chi Peng
    本研究係以水溶液法於p型矽晶圓基材上，合成出高均向性一維氧化鋅奈米柱陣列，接著利用半導體相關製程技術完成發光二極體(LED)元件。本實驗以硝酸鋅(C4H6O4Zn･2H2O)與四氮六甲環(C6H12N4)濃度1:1之混和溶液，固定其反應時間與溫度分別為6小時及90ºC，並且以不同之溶液濃度、晶種、基材等為反應參數，合成出高品質之一維氧化鋅奈米柱陣列，用以探討氧化鋅奈米柱之表面形態與奈米柱陣列之發光特性。 以x光繞射儀(XRD)與場發射掃描式電子顯微鏡(FESEM)分別鑑定氧化鋅晶體結構與表面形態，於不同溶液濃度與成長時間下所製備出之氧化鋅奈米柱陣列具有不同之長寬比與成核成長密度。光激發光光譜(PL)顯示氧化鋅奈米柱具有紫外光與寬頻之可見光發光區域，紫外光區相對於綠光區之比值將隨著溶液濃度之增加而成正比之現象；進一步計算上述放射光譜數據之CIE色度座標，發現座標位於偏藍之白光區域。 於電性量測方面，首先使用半導體相關製程完成此p-n異質接合(hetrojunction)之氧化鋅奈米柱發光二極體，此元件經過電流-電壓特性曲線之量測，觀察其起始電壓(turn-on voltage)為3.4 V，符合發光二極體之特性曲線。 相較於傳統塊材(bulk)與量子井(quantum well)結構，奈米結構具有較高之內部量子效率(Internal quantum efficiency)與窄頻譜特性，對於提高元件效率、降低起始電流具有正面助益。在此能源議題受重視之際，高品質之氧化鋅奈米柱發光二極體乃為重要研究主題之一。