學位論文
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Item 鐵電氧化鉿鋯之記憶體及鰭式電晶體(2019) 廖俊宇; Liao, Chun-Yu在半導體的領域中,電晶體在設計上追求精小,然而對效能的期望卻越來越高。因此,此領域的專家不斷地找尋新穎材料,嘗試加入在電晶體的製作中,希望能藉此突破現今所面臨的瓶頸。鐵電材料在近年來相當受到研究人員的注目,其材料擁有的雙穩態能被廣泛應用於記憶體的操作上。此外,鐵電材料中出現的負電容效應,有著電壓放大的效果,能有效打破次臨界擺幅(subthreshold swing, SS)的物理極限,以降低操作電壓VDD。 本篇論文研究將使用鐵電材料-氧化鉿鋯(HfZrO2, HZO)作為絕緣層,在MFM(Metal-Ferroelectric-Metal)結構中替換不同的上電極金屬,探討遲滯曲線特性的改變。而在記憶體追求簡單的電路設計概念下,利用HZO鐵電電晶體來做出1T記憶體。最後在鰭式電晶體的製程技術下,搭載鐵電薄膜來突破次臨界擺幅的極限,同時達到尺寸微縮及效能提升的結果。