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    半導體光子晶體光電性質之研究
    (2013) 邱鴻錦; CHIU HUNG-CHIN
    本論文針對含有摻雜半導體的半導-介電光子晶體(SDPC)作理論性的研究。以轉移矩陣法來運算GaAs光子晶體的透射率。 在半導-介電光子晶體,介電係數和半導體內的溫度、壓力、載子密度有強相關,可以藉由這些因素來調整介電係數由正值到負值。 第一個部分是研究溫度、壓力、載子密度對1維GaAs/air光子晶體產生的能隙影響。 第二個部分是研究負介電係數在N層的1維GaAs/air光子晶體的情形,可發現在能隙上有N-1個頻道可通過。 第三個部分是研究以GaAs為缺陷之Si/SiO2光子晶體的光子能隙,可發現此缺陷有多個通過峰值出現在能隙上。