Browsing by Author "Tsai, Wei-Lun"

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以目標衝突理論探討接種COVID-19疫苗及防疫行為之相關因素研究
(2022) 蔡維倫; Tsai, Wei-Lun
從2020年初以來，台灣民眾面對COVID-19（簡稱新冠肺炎）疫情，因為害怕受到病毒感染和對疫情不斷演變而產生的焦慮感，導致對於接種疫苗時出現進退兩難（趨避衝突）的困境、產生正反矛盾的聯想，進而影響到防疫行為。本研究針對台灣在2021年五月新冠肺炎疫情大爆發後，探討成年人面對疫情威脅時的焦慮症狀是否受到人格特質影響，進而影響到接種疫苗的心理趨避效應以及採取的防疫行為之趨勢。本研究問卷收集採用滾雪球抽樣法，歷時3個月共回收288份，有效問卷277份。以統計軟體SPSS進行敘述統計分析及信效度分析確認問卷內容具備統計意義，進一步以結構方程模型分析進行統計量化分析，依據統計結果發現：（1）神經質對於疫情感染焦慮具有直接正向影響。（2）外向性對於疫情感染焦慮具有直接負向影響。（3）疫情感染焦慮對於接種疫苗的雙趨衝突和雙避衝突心理為皆具有直接正向影響。（4）接種疫苗的雙趨衝突心理對防疫行為具有直接負向影響。（5）接種疫苗的雙避衝突心理對防疫行為具有直接正向影響。
鐵電電晶體用於提昇非揮發性記憶體性能之設計
(2021) 蔡瑋倫; Tsai, Wei-Lun
隨著科技持續的進步，新開發的裝置皆著重於更低的功耗以及更小的面積以達到尺寸微縮的目的。近年來大數據盛行使得越來越多的邊緣裝置(edge devices)被廣為使用，開發這類裝置都需具備低功耗的特性以達到節能的目的。因此，為了符合這樣的要求，選擇鐵電材料便成了一項不錯的選擇，由於其偶極矩會隨著電壓而轉變方向的特點，在未施加電壓時仍能保存原本儲存狀態直到有反向電壓施加才會導致偶極矩再度旋轉。本研究以鐵電材料與電晶體結合成鐵電電晶體(Ferroelectric Field Effect Transistor, FeFET)，研究適當的結構以將其應用於非揮發記憶體中。本實驗選擇HZO材料製作成MFM (Metal-Ferroelectric-Metal)電容並與金屬氧化物半導體場效電晶體連接成1T1CFE的記憶體架構，透過基本的電性量測確認其具備記憶體操作的能力，足夠的記憶視窗(memory window)作為判斷此一特性的首要特性。我們初步實驗顯示在不同電壓的施加之下會使得元件呈現不同的電流特性，但進一步的研究發現1T1CFE的架構存在漏電的問題，導致其開關比較小，相較於其他種記憶體強調更高的開關比，改善缺點便是本實驗之研究目的。為了改善1T1CFE漏電較高的狀況，吾人將原本1T1CFE的架構多增加一顆控制電晶體來改善此一狀況，將控制電晶體與原本1T1CFE相連接形成2T1CFE的架構，在I-V電性量測下仍保有原本記憶視窗的大小，且由於更低的漏電使得開關比更大達到105倍，而要能操作記憶體需要先透過電壓操作編程(program)及抹除(erase)兩種模式，調變脈衝寬度可以得到最低20ns即可成功program，7ns即可成功erase，此時逐步調變脈衝電壓使得電流產生變化，這也使得2T1CFE的FeRAM具有多狀態操作(multi-level operation)，在此一操作狀態下也符合現今晶片微縮的趨勢。實驗結果顯示，我們成功在2T1CFE的架構下，可將其操作在多狀態(Multi-level)，這八種狀態的電流均勻的分布於10-10A 到10-5A之間，在耐久度測試下可以操作107次且在烘烤85℃的狀態下也可以讓分布的八個電流狀態維持超過106秒。另外，為了要能順利應用在記憶體陣列中，電性干擾(Disturbance)的測試是為了確保未選定的記憶體元件受到編成或讀取的干擾。在2T1CFE的架構下，皆可以不受干擾的維持104秒以上，而在功耗測試中，2T1CFE在操作的消耗功率皆低於1T1CFE，可以看出其在未來具有良好的應用潛力並滿足IoT低功耗的需求。