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    使用0.18-μm互補式金氧半製程之鎖相迴路與頻率合成器之設計與實現
    (2014) 黃紹緯; Shao-Wei Huang
    對於各類通訊系統而言，隨著操作頻率越來越高，鎖相迴路也在其扮演著越來越重要的角色，而為了適應不同通訊系統規格的應用，鎖相迴路所要求的電路規格也有所不同，但還是會以低功耗與低相位雜訊為主要目標，只是這些目標還有許多問題需要克服，因此如何在各種電路特性上做取捨是最重要的議題。 在第四章實現了應用於5 GHz的鎖相迴路，其使用變壓器回授的壓控振盪器與高速的TSPC除頻器，讓鎖相迴路能達成低功耗與降低相位雜訊的目標。此外我們在振盪器中增置一組變容器來提高電路的調變範圍，而量測的相位雜訊在正常偏壓下，載波偏移100 kHz處為-88.15 dBc/Hz；在載波偏移10 MHz處為-117.89 dBc/Hz，整體功率消耗為26.5 mW，若在低偏壓下，載波偏移100 kHz處為-90.88 dBc/Hz；在載波偏移10 MHz處為-115.8 dBc/Hz，整體功率消耗為12.12 mW，操作範圍為4.33~5.1 GHz。 第五章實現了應用於X頻段的頻率合成器，其使用交叉耦合對的LC振盪器架構、電流模式邏輯除頻器與多模除頻器，來達成降低相位雜訊的目標。並且我們在LC振盪器中增置一組電容來提高共振腔中的品質因素，以提高電路相位雜訊的表現，此外在預除電路的部分的，我們將電流模式邏輯除頻器的尾電流源部分刪除以增加其操作速度。量測的相位雜訊在正常偏壓下，載波偏移100 kHz處為-67.28 dBc/Hz；載波偏移10 MHz處為-119.3 dBc/Hz，整體功率消耗30.26 mW，若在低偏壓下，載波偏移100 kHz處為-67.28 dBc/Hz；載波偏移10 MHz處為-119.3 dBc/Hz，整體功率消耗17.01 mW，操作範圍為10.43~10.77 GHz。