Browsing by Author "陳宣翰"

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    氧化鉿鋯二極體與場效電晶體之記憶體應用
    (2017) 陳宣翰; Chen, Hsuan-Han
    具有鐵電效應的新鐵電材料－鉿基氧化物(Hafnium-based Oxides)，這幾年除了研究討論度相當高之外，應用面也是相當的廣，例如其鐵電負電容特性，藉由突破次臨界擺幅的物理極限60mV/dec，降低了操作電壓VDD，間接降低了元件的耗能，達到低功耗的目的。又例如藉由鐵電特性，使電流-電壓曲線具有遲滯現象，使之可以應用在1T記憶體上面，也可以製作成MIM結構應用在1T-1C記憶體中，而且鉿基氧化物與矽基板相容性高，可以整合在現有的CMOS半導體製程上。本研究將針對於應用在鐵電記憶體上，使用Hf1-xZrxO2作為鐵電層，藉著不同物理厚度、不同摻雜比例，以及退火溫度等條件，探討分析其在記憶體應用方面的表現。 關鍵字：鉿基氧化物、負電容電晶體、次臨界擺幅、金屬-鐵電層-金屬結構、鐵電電晶體。