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    將二氧化矽奈米粒子直接電還原成矽
    (2010) 歐威志; Ou Wei-Jhih
    我們成功直接在CaCl2 850℃與LiCl-KCl-CaCl2 500℃或600℃電還原二氧化矽奈米粒子。一個新的二氧化矽接觸電極的方法被用來固定二氧化矽的奈米粒子。除此之外，我們用這樣的起始物可以成功的電還原出奈米等級的矽。我們不僅從TEM影像中觀察出二氧化矽粒子其大小形狀對所還原之矽大小形狀的影響，也從拉曼光譜中得知不同電還原溫度其結晶程度的差異。溫度高結晶程度較好，溫度低則較差。另一方面我們將二氧化矽包覆在金奈米粒子的外面，將其電解還原得到矽包金的奈米複合材料。此外，我們利用金奈米粒子或金奈米棒的摻入來改變二氧化矽的形狀進而成長出奈米矽棒。
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    製備高產率金奈米雙三角錐及其選擇性二氧化矽包覆之研究
    (2018) 歐威志; Ou, Wei-Zhi
    金奈米雙三角錐(Gold Nanobipyramids, AuNBPs)具有比金奈米棒(Gold Nanorods, AuNRs)更佳的光學性質，其兩端的尖點擁有比金奈米棒的兩端點更強的電場，因此有利於應用在光學及奈米醫學方面上。本實驗成功合成出不同波長的金奈米雙三角錐，但由於利用晶核成長法(seed-mediated growth method)所合成出的奈米粒子，其中金奈米雙三角錐的產率不到50%，因此利用benzyldimethylhexadecylammonium chloride (BDAC)進行純化的步驟，使金奈米雙三角錐的產率提高至90%以上，不僅如此，還另外測試出另一純化方法：將未純化的金奈米雙三角錐的溶液過度生長，使金奈米雙三角錐變成有銀包覆在外的銀棒，金奈米顆粒變成有銀包覆的銀顆粒，再利用顆粒大小不同使其分離，最後再利用氨水及雙氧水蝕刻掉銀的部分，兩種方法都能得到高產率的金奈米雙三角錐。接著，將金奈米雙三角錐以及另外合成出的金奈米棒在兩端分別修飾上8-arm PEG-LA，再包覆二氧化矽在其邊上，形成像大亨堡的形狀，以及在金奈米雙三角錐和金奈米棒四周包覆上二氧化矽。由於侷域化表面電漿共振的現象，金奈米棒及金奈米雙三角錐的端點可以提供較強的電場環境，這些電場被高度增強的熱點(Hot Spot)處如果修飾上螢光分子，可以放出較強的螢光，抑或是曝露於相對應波長的雷射探討其光熱轉換效率。由於二氧化矽選擇性包覆在金奈米顆粒上，可以使得未來在修飾上螢光分子上能集中在端點，又金奈米雙三角錐的尖端電場比金奈米棒的端點電場還強，可以被預期金奈米雙三角錐的螢光增強倍率會大於金奈米棒。