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    硫化鎘(CdS)奈米粒子之製備與其特性之探討
    (2007) 伍開成; Kai Cheng Wu
    中文摘要 本論文以研究硫化鎘(CdS)半導體奈米粒子之合成、光學性質與粒子在基材上分佈的情形為主。實驗內容包括兩部份,首先對奈米粒子進行光照蝕刻,期望能控制奈米粒子的尺寸單一性;以及藉由電化學方法在基材上(玻璃碳電極、高溫取向熱解石墨)沈積 CdS奈米粒子。經由控制電鍍的條件,合成出均勻度佳、分散性好的奈米粒子。此法的優點包含高產量、低成本以及易操作等特性。 在光照蝕刻部份,我們以非錯合性溶劑反應系統合成出 CdS奈米粒子,利用白光照射粒子進行蝕刻;經由改變光照時間,探討粒子尺寸的變化。從UV-Vis光譜儀,發現蝕刻後的粒子尺寸會隨著光照時間的增加而變小,在吸收光譜上呈現藍位移。此外,藉由公式估算及AFM可獲知粒子尺寸大小與在基材表面的分布情形,發現粒子粒徑經蝕刻後有明顯變小的現象。 在電化學部份,我們利用定電位的方式,電鍍CdS奈米粒子。根據實驗結果,從AFM及SEM的影像中,發現奈米粒子的大小與電鍍時間成正比;並利用XPS確認以定電位的方式能成功合成出CdS奈米粒子。

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