Browsing by Author "C.K. Lo"

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    PLD製作Py(100)/Cu(100)/H-Si(100)薄膜與其磁性行為研究
    (2014) 趙晉鴻; Cing-Hung CHAO
    利用脈衝雷射沉積(Pulsed laser deposition, PLD)法在室溫下製作厚度5nm至100nm之銅與鎳鐵 (Ni80% Fe20%, Py)薄膜於H-Si(100)基板上，Cu(100)為了降低晶格失配度從33.3 %降為5.7 %，故旋轉45度使Cu[100]平形H-Si[110]進行磊晶，樣品經X光繞射實驗確定單晶Cu(100)結構生成。FCC-Py(100)因與FCC-Cu(100)間的晶格失配度為1.7%，因此Py(100)可穩定地磊晶於Cu(100)上。藉由X光ϕ-scan的量測也證實基板與薄膜間的晶向關係為Si [110]//Cu[010]//Py[010]。而[Py/Cu]10的多層膜樣品在X光繞射實驗上發現具有超晶格結構。 在磁性量測上，由LMOKE發現樣品具有單軸磁異向性，並且易磁化軸與難磁化軸分別平行於Py[010]與Py[100]，單軸磁異向性可能是由於晶格失配度產生應變，破壞FCC-Py的四重對稱所造成。從這次的研究結果發現，樣品的矯頑場隨著Py厚度的增加從1.7Oe增加到3.0Oe。其他的磁性參數由FMR量測結果經計算得出，阻尼常數當Py厚度為10nm時，有最小值 1.25×〖10〗^(-2)，之後分別因為渦電流效應與晶格失配度導致阻尼常數隨著Py薄膜厚度的增加或減少皆為上升。
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    基於網路分析儀之鐵磁共振儀的建製及磁性多層膜高頻共振性質研究
    (2010) 賴韋辰; Wei-Chen Lai
    Ruderman-Kittel-Kasuya-Yoshida (RKKY) 等磁層耦合現象在巨磁阻效應(GMR)之中扮演了重要的角色，而這個現象的發現奠定了近代自旋電子學的發展。當系統的自由能己知，用來描述自旋電子動力學的Landau-Lifshitz-Gilbert方程可得到許多關於此系統的訊息。例如：耦合系數﹑阻尼系數﹑鬆弛時間,晶格場以及磁異向係數等等。了解這些係數，不但可以幫助我們探究其原理更可以獲得操控自旋電子，發展自旋電子技術更多的靈感。 鐵磁共振技術在量測這些參數上，是強而有力的工具。 為了研究 Py/Ru/Py 磁性三層膜，我們使用了向量網路分析儀建製了一套鐵磁共振儀。由於向量網路分析儀的特性以及在 X-band下高Q值的共振腔，不需使用傳統鐵磁共振儀的調變相鎖放大技巧來獲得高敏感度。可以直接量測鐵磁共振吸收利用數值方法得到吸收的微分。若需要作別的微波波段的量測，也只需更換共振腔，不需改變硬體配置。 為了成長所需樣品，我們建造了一套具有四支磁控濺鍍槍的超高真空濺鍍系統。此系統具有穩定而低的鍍率，是故樣品的膜厚可達到原子的尺度。我們也翻新了一台振動樣品磁量儀用以量測樣品的飽和磁化，這個性質我們無法藉由鐵磁共振的結果來獲得。 我們備製了一系列的 Py20nm/Rut/Py20nm 樣品 t 的範圍從0.4nm 到 3nm。角度解析的鐵磁共振資料顯示了三層膜的RKKY磁層耦合現象，耦合常數隨著膜厚成振盪的變化。這樣的結果也可以由磁阻量測以及振動樣品磁量儀的結果獲得印證。
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    脈衝雷射沉積法製作 [Co(100) / Cu(100)]x /H-Si(100)多層膜磁性行為研究
    (2015) 黃凱雋; Kai-Jyun Huang
    我們成功地在室溫及攝氏350度下以脈衝雷射沉積法於氫鈍化矽(100)基板上磊出高品質的鈷(100)/銅(100)多層膜，其晶格結構與磁性特性分別由X光繞射儀與磁光柯爾效應儀、鐵磁共振儀所確認及分析。 藉由X光繞射頻譜可知，鈷能以面心立方結構穩定生長於 銅(100)/矽(100)之表面，樣品中銅、鈷兩者的繞射峰值分別位於50.34度及51.26度。其橫向磁光科爾效應圖亦顯示此批樣品有著面心立方結構所特有的磁四重對稱性，樣品之磁易軸及磁難軸分別坐落於鈷[100]、鈷[110]方向。 本次研究亦發現，於常溫下進行鈷(100)之磊晶則須提鍍膜能量密度至 4.25焦耳每平方公分，與高溫沉積之鈷(100)相比(飽和磁場1.5千厄斯特、矯頑場25厄斯特)，室溫成長之薄膜整體有著較低的飽和磁場(250厄斯特)及矯頑場(16厄斯特)。