張明哲Ming-Che Chang劉佩琪Pei-Chi Liu2019-09-052005-7-152019-09-052005http://etds.lib.ntnu.edu.tw/cgi-bin/gs32/gsweb.cgi?o=dstdcdr&s=id=%22G0069241003%22.&%22.id.&http://rportal.lib.ntnu.edu.tw:80/handle/20.500.12235/102384Rashba spin-orbital coupling發生於二維的三五族半導體系統中,是由於自旋-軌道偶合與缺乏空間反轉對稱所造成的,使得電子依自旋方向可分為兩個態λ+與λ-,所以我們將電子束縛於x-y平面，形成二維電子氣（2DEG），並以某角度射向有限位壘（V）。位壘內外皆有Rashba coupling的作用，位壘內外的Rashba coupling constant皆為α,計算分析當電子以λ-態對位壘穿隧時,位壘內共振的情形與電子對位壘的穿透率,反射率。位壘穿隧Rashbabarriertunneling