國立臺灣師範大學機電工程學系楊啟榮黃茂榕湯杜翔劉榮德2014-10-302014-10-302005-11-25http://rportal.lib.ntnu.edu.tw/handle/20.500.12235/36995本研究結合奈米球微影以及光輔助電化學蝕刻兩項技術之優點，用於製作高深寬比的奈米孔洞陣列。實驗的結果証實利用旋轉塗佈搭配震盪塗佈的方式，可將奈米球規則地排列於矽基板上，並且定義出單層與雙層奈米等級的圖案。而在光輔助電化學蝕刻的實驗中，証實了在添加界面活性劑的作用下，蝕刻液的接觸角可降低至 15度，具有超親水性的特性，並大幅改善擴孔現像，使得奈米級的高深寬比孔洞能夠輕易的產生。當使用1 V的蝕刻電壓與HF 濃度2.5wt%的蝕刻液，經過12.5分鐘的蝕刻後，能夠產生高度6.2μm，直徑為90nm 的高深寬比之奈米級孔洞，而孔洞的深寬比約為68:1。奈米球光輔助電化學蝕刻奈米孔洞