陸健榮施仁智2019-09-052007-7-72019-09-052007http://etds.lib.ntnu.edu.tw/cgi-bin/gs32/gsweb.cgi?o=dstdcdr&s=id=%22GN0694410273%22.&%22.id.&http://rportal.lib.ntnu.edu.tw:80/handle/20.500.12235/102640我們利用電場調制光譜實驗研究並五苯(pentacene)薄膜結構系統，探討影響電光性質的機制。反射光譜經由電場調制之後，所獲得的調制譜圖有微分結構。藉由吸收譜圖和電場調制光譜的比較，我們可以得到並五苯的四個躍遷能量：1.85eV、1.97eV、2.12eV、2.28eV。藉由史達克效應(Stark effect)理論，我們可以建立微分結構模型來分析譜圖，微分結構模型所擬合的譜形和實驗譜形兩者形狀一樣。在電場調制光譜實驗中，我們分別改變調制電壓和直流偏壓，實驗結果符合史達克效應理論的預測，這表示並五苯樣品在外加電場的情況下，發生史達克效應，是史達克效應主導電場調制光譜的譜形結構。改變並五苯所處的環境溫度，將溫度從25K開始逐漸升高溫度時，調制光譜的光譜強度會隨著溫度升高而逐漸增加。當溫度逐漸接近250K時達到最大值，繼續增加溫度到300K，光譜強度反而變弱。並五苯調制光譜有機半導體pentaceneelectroabsorption